[发明专利]减少磷酸镓压电晶体单元含水量的方法、装置及按此方法生产的晶体单元

权利要求书

1、一种减少磷酸镓压电晶体单元含水量之方法，其特征是每一GaPO₄晶体单元全部由GaPO₄原晶块的一统一的生长晶带切割，且不含晶带边界。

2、一种减少磷酸镓压电晶体单元含水量的方法，其特征是将GaPO₄压电晶体单元与脱水溶液接触，直至在2.9μm波长范围内达到一红外系数α＜1.5cm^-1，其中

α＝1/d  log（Io/I）

Io…初辐射强度

I…透射辐射强度

d…晶体元件密度

3、如权利要求2的方法，其特征是所述红外系数α＜0.8cm^-1。

4、如权利要求1或2的方法，其特征是将GaPO₄晶体单元在由原晶块切割后放入一由Karl Fischer液和纯甲醇以体积比4∶1～1∶4组成的混合液中。

5、如权利要求4所述的方法，其特征将GaPO₄晶体单元放入一由Karl Fischer液和纯甲醇液以体积比1∶1组成的混合液中并将该混合液在隔绝潮气的情况下于一封闭系统中加热。

6、如权利要求4所述的方法，其特征是将Karl  Fischer液和纯甲醇之混合液在20巴压力下、加热至300℃温度。

7、如权利要求1或2的方法，其特征是将GaPO₄晶体单元放入一反应烧瓶中的一与水不相溶的、具有在富集范围内与水有高亲合性之性能的有机溶剂中。

8、如权利要求7的方法，其特征是将反应烧瓶中的有机溶剂加热至沸点，产生的溶剂蒸汽和水蒸气之混合气导入冷凝器冷却，在一与反应烧瓶预接的提取器中将水从溶剂中除去。

9、如权利要求7之方法，其特征是可采用甲苯、苯、二甲苯作为有机溶剂。

10、如权利要求2之方法，其特征是脱水溶液在半天至60天的时间内保持与GaPO₄晶体单元接触。

11、一种减少磷酸镓压电晶体单元的含水量之装置，具有一盛放GaPO₄晶体单元、可加热的反应烧瓶，其特征是在可加热的反应烧瓶1内放有机溶剂且与回流冷凝器7相连，回流冷凝器7之出口8与带分子筛10的提取器9相接，提取器9之出口可与反应烧瓶1相连。

12、如权利要求11之装置，其特征是由反应烧瓶1、提取器9和回流冷凝器7组成的单元可通过一接头阀1与一干燥器相连。

13、一种磷酸镓压电晶体单元，具有两个相对的、用以装设电极的侧面，其特征是每一GaPO₄晶体元件全部由一统一的GaPO₄原晶块1之生长晶带产生，且不含晶带边界。

14、如权利要求13的压电晶体单元，其特征是GaPO₄晶体单元3由GaPO₄原晶块1的生长晶带Z或一具有一菱形体面作为生长表面的R晶带产生。