[发明专利]MOS电路的保护装置

权利要求书

1、MOS电路(绝缘栅场效应晶体管集成电路)的保护装置，该装置位于覆盖MOS电路衬底的绝缘层上面的焊接区(P)与被保护的晶体管之间，并包含相反的其它导电类型的电阻，该电阻位于衬底中，并且把焊接区连接到晶体管的端点上，其特征在于：

这个电阻是一个扩展区(e)，其表面形状与焊接区(P)的形状相同，扩展区面积大于焊接区，由扩展区、最好是中心区域来支撑焊接区，并通过焊接区构成与扩展区的低阻接触；

扩展区(e)至少部分边缘与具有择优最小宽度的细长区(Z、Z₁、Z₂)相邻，并与细长区相隔一最小间距；

细长区与扩展区(e)有相同的导电类型和相同的电阻率；

细长区在其表面通过与电路地端相接的互连通路(b)构成接触，在表面与互连通路b之间的连接具有低电阻。

2、如权利要求1所述的保护装置，其特征在于扩展区（e）延长成为一个伸长的电阻区（W、W₁、W₂）并包含于衬底（S）中，伸长的电阻区至少与扩展区（e）的一个侧边平行地延伸，并间以最小宽度的细长区（Z、Z₁、Z₂）与扩展区分开，细长区（Z、Z₁、Z₂）也与电阻区（W、W₁、W₂）的一个长边Ls平行地延伸，电阻区（W、W₁、W₂）从扩展区伸出并止于一端。

3、如权利要求1的保护装置，其特征在于选择电阻区（W、W₁、W₂）的电阻使其不会影响MOS电路的工作，选择电阻区（W、W₁、W₂）的面积，使得因为规定的试验电流值而在其两端引起的电压降等于扩展区（e）与衬底（S）之间的pn结的击穿电压。