[发明专利]3-吡咯烷硫基-1-氮杂二环《3、2、0》庚-2-烯-2-羧酸衍生物及其制法无效

专利信息
申请号: 89103171.5 申请日: 1989-05-12
公开(公告)号: CN1038645A 公开(公告)日: 1990-01-10
发明(设计)人: 村田正好;津津美秀雄;松田啓二;服部浩二;中尚志 申请(专利权)人: 藤沢药品工业株式会社
主分类号: C07D487/04 分类号: C07D487/04;//;20500;20900)
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 唐跃
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 吡咯烷 氮杂二环 羧酸 衍生物 及其 制法
【权利要求书】:

1、制备下式化合物或其盐的方法:

式中:

R1是羧基或保护的羧基,

R2是羟基(低级)烷基或保护的羟基(低级)烷基,

R3是氢或低级烷基,

R4是一卤代(低级)烷基、一或二(低级)烷基氨基(低级)烷基、保护的单(低级)烷基氨基(低级)烷基、单或二(低级)烷基甲氨酰基(低级)烷基或保护或未保护的羧基(低级)烷基,

R5是氢、低级链烷亚胺酰基(alkanimido)、低级环烯基(可带有适宜取代基)或亚胺基保护基,

A是低级亚烷基,

该方法包括:

(a)使下式化合物

(式中R1、R2、R3的含义同上)或其在其氧化基上的反应活性衍生物或其盐与下式化合物

(式中R4、R5、的含义同上)或其盐反应,得到下式化合物

(式中R1、R2、R3、R4、R5、A的含义同上)或其盐;和

(b)使下式化合物

[式中R1、R3、R4、R5、A的含义同上,而Ra2为保护的羟基(低级)烷基]或其盐进行脱去Ra2上羟基保护基的反应,得下式化合物

[式中R1、R3、R4、R5、A的含义同上,而Rb2为羟基(低级)烷基]或其盐;或

(e)使下式化合物

[式中R1、R2、R3、R4、R5、A的含义同上,R6为芳基或低级烷氧基,Y为氧代或硫代]或其盐环化,得下式化合物

(式中R2、R3、R4、R5、A的含义同上,而Ra′为保护的羧基)或其盐进行脱去Ra上羧基保护基的反应,得下式化合物

(式中R2、R3、R4、R5、A的含义同上)或其盐;和

(C)使下式化合物

(式中R1、R2、R3、R4、A的含义同上,而Ra5为亚氨基保护基)或其盐进行脱去亚氨基保护基Ra的反应,得下式化合物

(式中R1、R2、R3、R4、A的含义同上)或其盐;和

(d)使下式化合物

(式中R1、R2、R3、R4、R5、A的含义同上)(或其盐);或

(f)使下式化合物

[式中R1、R2、R3、R5、A的含义同上,而R7为羟基(低级)烷基]或其盐与卤化剂反应,得下式化合物

[式中R1、R2、R3、R5、A的含义同上,Ra4为单卤代(低级)烷基]或其盐;或

(g)使下式化合物

(式中R1、R2、R3、R4、A的含义同上)或其盐与下式化合物

[式中Rb5为低级链烷亚胺酰基或低级环烯基(它们可带有适宜取代基),L为离去基]或其盐反应,得下式化合物

(式中R1、R2、R3、R4、R5b、A的含义同上)或其盐。

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