[发明专利]一种记录头基片

权利要求书

1、一种液体喷射头基片，包括有：

用于生产热能的内装式能量产生元件；

用以提供电信号到上述能量产生元件中去的内装式电极接线部分；以及

用以探测上述基片温度的内装式温度探测元件，其特征在于该温度探测元件包括二极管或晶体管。

2、按权利要求1的基片，其特征在于所述基片包含着以阵列形式排列着的多个这种能量产生元件的区域，并且，上述温度探测元件的排列位置与该阵列的每一纵向端相邻接。

3、按权利要求2的基片，其特征在于它还包括与上述各端相邻的，用以加热所述基片的加热器，这里，进行温度控制利用与一端相邻接的上述温度探测元件和上述基片加热用的加热器这两者组合，及与另一端相邻接的上述温度探测元件和上述基片加热用的加热器这两者组合。

4、按权利要求3的基片，其特征在于，它还包括了一内装式的公共电线路，与上述温度探测元件和上述基片加热用的加热器相电连接。

5、按权利要求1的基片，其特征在于上述温度探测元件是采用含有多个相互串联的二极管的二极管温度探测器，每个串联着的二极管其构造本质上与上述接线部分所含有开关二极管的构造相同。

6、按权利要求2的基片，其特征在于，每一个上述温度传感元件至少有一部分是位于该阵列的延伸部分上。

7、按权利要求6的基片，其特征在于，所述的基片包括了排列着多个开关元件以选择性地驱动多个能量产生元件的区域，还包括了一个处在上述能量产生元件排列地段和上述开关元件排列地段之间的阵列式的接线区域，基片加热用的加热器安排在与上述阵列式的接线区域相邻接的每个端部位置上。

8、按权利要求7的基片，其特征在于，上述温度探测元件是用硅基底构件所组成的，并且，所述的基片还包含两个电绝缘层，这里，上述的基片加热用的加热器在电绝缘层的延伸部分之间形成。

9、一种液体喷射头基片，包括：

用于产生热能的内装式能量产生元件;

用以提供电信号到上述能量产生元件中去的内装式电极接线部分;

用以探测上述基片温度的内装式温度探测元件，其特征在于还包括：

用于加热所述基片的多个加热器，

所述基片包含着以阵列形式排列着的多个这种能量产生元件的区域，并且，上述温度探测元件的排列位置与该阵列的每一纵向端相邻接。

10、按权利要求9的基片，其特征在于，上述温度探测元件，其制作材料至少是部分地与这样一种材料相同，后者至少是部分地用来构成上述的能量产生元件或上述的接线部分。

11、按权利要求9的基片，其特征在于，所述加热器与上述各端相邻，这里，温度控制用到与一端相邻接的上述温度探测元件和上述基片加热用的加热器这两者组合，还用到与另一端相邻接的上述温度探测元件和上述基片加热用的加热器这两者组合。

12、按权利要求11的基片，其特征在于，它还包括了一内装式的公共电线路，与上述温度探测元件和上述基片加热用的加热器相电连接。

13、按权利要求9的基片，其特征在于，每一个上述温度传感元件至少有一部分是位于该阵列的延伸部分上。

14、按权利要求13的基片，其特征在于，所述的基片包括了排列着多个开关元件以选择性地驱动多个能量产生元件的区域，还包括了一个处在上述能量产生元件排列地段和上述开关元件排列地段之间的阵列式的接线区域，基片加热用的加热器安排在与上述阵列式的接线区域相邻接的每个端部位置上。

15、按照权利要求14的基片，其特征在于，上述温度探测元件是用硅基底构件所组成的，并且，所述的基片还包含两个绝缘层，这里，上述的基片加热用的加热器在电绝缘层的延伸部分之间形成。

16、按权利要求1或9的基片，其特征在于，所述能量产生元件、所述电极接线部分及所述温度探测元件是通过薄膜形成工艺装入的。

17、按权利要求9的基片，其特征在于，所述温度探测元件包括二极管或晶体管。

18、按权利要求18的基片，其特征在于，上述温度探测元件是采用一个含有多个相互串联的二极管的二极管温度探测器，每个串联着的二极管其构造本质上与上述接线部分所含的开关二极管的构造相同。