[发明专利]用于制备超导体的工艺

权利要求书

1.用于制备超导体的工艺，包括的步骤是：

制备第一种材料，是以粉末混合物或烧结物形成，它所具有的组分由分子式(I)表示：

Bi_u′Pb_v′Sr_w′Ca_x′Cu_y′O_z′···I这里1≤u′≤3，0≤v′≤1，1≤w′≤，0≤x′≤12，1≤y′≤12，3≤z′≤39.5；

把钙化合物加到第一种材料中以形成包括CaO混合相和温度900℃或更低的液相；以及

焙烧所形成的第一种材料的混合物和钙化合物，温度900℃或更低以获得由分子式II表示的一超导体：

Bi_uPb_uSr_wCa_xCu_xO_z···(II)这里1≤u≤3，0≤v≤1，1≤w≤2，2≤x≤10，3≤y≤11，6≤z≤35。

2.根据权利要求1的工艺，其中在分子式(II)中，y＝x＋1。

3.根据权利要求1的工艺，其中上述钙化合物是Ca₂PbO₄，Ca₂PbO₃，CaCl₂和Ca₃OCl₄的组族中之一。

4.根据权利要求1的工艺，其中上述钙化合物是Ca₂PbO₄或Ca₂PbO₃。

5.根据权利要求1的工艺，其中在分子式(I)中，1.5≤u′≤2.5，0≤v′≤1，1.5≤w′≤2.5，0≤x′≤4，3≤y′≤8，3≤z≤25。

6.根据权利要求5的工艺，其中分子式(I)，1.5≤u′≤2.5，0≤v′≤0.5，1.5≤w′≤2.5，1.0≤x′≤2.0，3.0≤y′≤4.0，5.0≤z′≤17.0。

7.根据权利要求1的工艺，其中上述钙化合物被加入的量按重量比是10％到50％。

8.根据权利要求7的工艺，其中上述钙化合物被掺加入的量按重量比是10％到20％。

9.根据权利要求1的工艺，其中上述焙烧是在温度750℃到880℃下进行。

10.根据权利要求9的工艺，其中上述焙烧是在温度840℃到850℃下进行。

11.用于制备超导体的工艺，是通过焙烧起始材料的混合物，它具有作为氧化物的总的组分是由分子式(V)表示：

Bi₂Pb_(n-1)/2Sr₂Ca_nCu_n+1O_b···(V)这里2≤n≤10，5≤b≤40.5，温度在750℃到900℃。

12.根据权利要求11的工艺，其中在分子式(V)中，2≤n≤6，9≤b≤28。

13，根据权利要求22的工艺，其中分子式(V)中，2≤n≤4，5≤b≤21。

14.根据权利要求11的工艺，其中所形成的上述超导体是由下分子式(VI)表示：

Bi₂Pb_vSr₂Ca_aCu_a+1O_b′···(VI)这里2≤a≤10，0≤v≤1，8.5≤b′≤31.5。