[发明专利]光记录介质及信息记录与重放装置

权利要求书

1、一种采用非晶态-结晶态相变进行记录和擦除的光记录介质，所述光记录介质由基底、记录膜构成，还包括介电质膜、金属反射膜中至少一种，其特征在于，其中非晶态记录膜结构的光记录介质的反射率和折射系数大于结晶态记录膜结构的光记录介质的反射率和折射系数，以及其中非晶态记录膜结构的光记录介质的消光系数和吸收率小于晶态记录膜结构的光记录介质的消光系数和吸收率。

2、根据权利要求1所述的光记录介质，其特征在于，其中记录膜直接或间接地形成在具有支撑性质和透光性质的基底或塑性片或带上，它还具有一种结构，可通过使用介电膜和金属反射膜中的一个来显示光干涉效果或保护效果。

3、根据权利要求1所述的光记录介质，其特征在于，它具有下面结构中的一种结构，其中光透性基片，薄片或带缩写成S，

S/记录膜/介电质膜

S/记录膜/金属反射膜

S/记录膜/金属反射膜/介电质膜

S/记录膜/介电质膜/金属反射膜

S/记录膜/介电质膜/金属反射膜/介电质膜

S/介电质膜/记录膜/介电质膜

S/介电质膜/记录膜/金属反射膜

S/介电质膜/记录膜/金属反射膜/介电质膜

S/介电质膜/记录膜/介电质膜/金属反射膜

S/介电质膜/记录膜/介电质膜/金属反射膜/介电质膜

S/记录膜/S

S/记录膜/金属反射膜/S

S/记录膜/介电质膜/金属反射膜/S

S/记录膜/介电质膜/金属反射膜/介电质膜/S

S/介电质膜/记录膜/S

S/介电质膜/记录膜/介电质膜/S

S/介电质膜/记录膜/金属反射膜/S

S/介电质膜/记录膜/金属反射膜/介电质膜/S

S/介电质膜/记录膜/介电质膜/金属反射膜/S

S/介电质膜/记录膜/介电质膜/金属反射膜/介电质膜/S

4、根据权利要求1所述的光记录介质，其特征在于，其中膜结构的光记录介质包括从锑、锌、锡、铅、铜、银、金、铟和锗中至少选出一种，从硫族元素中至少选择出一种构成的二元化合物。

5、根据权利要求1所述的光记录介质，其特征在于，其中构成光记录介质的记录膜包括至少由锑、锌、锡、铅、铜、银、金、铟和锗中选出一种，和至少从硫族化物中选出一种构成。

6、根据权利要求1所述的光记录介质，其特征在于，其中构成光记录介质的记录膜包括一个由铟和碲组成的化合物，由锑和碲组成的化合物和单质锑。

7、根据权利要求1所述的光记录介质，其中，构成光记录介质的记录膜包括15%（原子）～35%（原子）的铟，25%（原子）～50%（原子）的碲和25%（原子）～50%（原子）的锑。

8、一种使用非晶态-结晶态相变进行记录和擦除的光记录介质，所述光记录介质由基底、记录膜构成，还包括介电质膜、金属反射膜中至少一种，其特征在于，满足Ras-depo.＞Ra＞Rx关系，其中，Ras-depo.表示淀积状态下构成上述记录介质的记录膜的反射率，Ra表示非晶态下构成上述记录介质的记录膜的反射率;Rx表示结晶态下构成上述记录介质的记录膜的反射率;以及满足Aas-depo.＜As＜Ax关系，其中Aas-depo.表示淀积状态下构成上述记录介质的记录膜的吸收率，Aa表示非晶态下构成上述记录介质的记录膜的吸收率;Ax表示晶态下构成上述记录介质的记录膜的吸收率。

9、根据权利要求8所述的光记录介质，其特征在于，其中记录膜结构的光记录介质具有一个由激光对淀积状态下的记录膜局部辐射形成的较低反射率的部分，所述部分与一个具有较高反射率的部分相毗邻。

10、根据权利要求8所述的光记录介质，其特征在于，其中记录膜直接或间接地形成在具有支撑性质和透光性质的基底或塑性片或带上，它还具有一种结构，可通过采用介电质膜和金属反射膜中的一个来显示光干涉效果或保护效果。