[发明专利]光记录介质及信息记录与重放装置

说明书

本发明涉及一种可重写的光记录介质，其中，利用光和热的方法，可以记录，重放和擦除信息;本发明还涉及上述光记录介质的记录、重放和擦除信息的方法以及实现该方法的装置。

在一些光信息记录和重放装置中，信息的记录和擦除是根据用于照射的激光功率的变化引起的非晶态与晶态之间的相变，而导致的光记录介质的光学特性的变化（即能量反射率，下文中将称之为“反射率”）来实现的。迄今，人们已经提出了多种光信息记录和重放的方法，正如下面的一些公知的例子所说明的那样，一般的光盘其对应于记录状态的非晶态的反射率是小于对应于擦除状态的晶态的反射率的。这些公知的例子是：《化学与工业》（Chemistry and Industry），Vol.39，No.3，1986，P.174;“一种采用Te₈₇Ge₈Sn₅记录材料的光盘”，载于Applied Physics Letters Vol.46（8），1985，P.735;“一种采用TeOx·Ge或TeOx·Sn记录材料的光盘”，载于National Technical Report Vol.29，No.5，P.731;“采用Sb₂Se记录材料的光盘”，载于Applied Physics Letters Vol.48（19），1986，P.1256;“采用GeSbTe记录材料的光盘”，载于Proc.International Symposium On Optical Memory 1987，Japanese Journal of Applied Physical，Vol.26，1987，Supple26-4，P.64;“采用Te₄₄Ge₁₆Se₁₀Sh₂₈记录材料的光盘”，载于Technical Report of Eletronic Information Communication Society Shingaku Giho Vol.87，No.310 CPM87-88，1987，P.26;电子信息通信协会技术报告，Vol.87，No.310，CPM87-90，1987，P.40的图5和图7;“采用SeTe-Se记录材料的光盘”，载于Proc.SPIE529，1985，P.46;“一种采用InSeTi为记录材料的光盘”，载于Appl Phys Letter Vol.50，1987，P.668;“采用TeGeSn记录材料的光盘”，载于J.Appl Phys 60（12）1986.P.4320。

作为一个特殊的例子，即在文献FUJTSU，38，2，1987，P.144中描述了一种采用SeInSb记录材料的光盘，该光盘的记录材料在记录状态的反射率高于在擦除状态的反射率。但是这种光盘是利用了具有不同晶体结构的晶体Ⅰ与晶体Ⅱ两种 晶体。