[发明专利]等离子体处理方法和设备无效
申请号: | 89107237.3 | 申请日: | 1989-09-16 |
公开(公告)号: | CN1025353C | 公开(公告)日: | 1994-07-06 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;土屋三宪;林茂则;广濑直树;石田典也;佐佐木麻里;川野笃 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/26 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 肖掬昌,曹济洪 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 方法 设备 | ||
1、一种等离子体处理设备,其特征在于,该设备包括:
-真空室;
-真空泵,连接到所述真空室,以便将所述真空室抽成真空;
-气体引入系统,连接到所述真空室,以便将反应气体输入所述真空室中;
-对第一电极,设在所述真空室中;
-第一电压源,用以将第一高频交流电压加到所述各第一电极之间,以便将所述真空室中的反应气体转化成等离子体;
-基片架,用以将所述设备要处理的基片支撑在所述各第一电极之间;
至少一对第二电极,配置得使所述基片架所支撑的基片位于所述第二电极之间,和所述基片是绝缘的且和所述第二电极在空间上隔离;以及
-第二电压源,用以将第二交流电压加到所述各第二电极之间,从而增强所述基片表面的溅射作用。
2、权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第一交流电压的频率选取1兆赫至50兆赫的范围。
3、权利要求2所述的设备,其特征在于,所述第二交流电压的频率选取10赫至100千赫的范围。
4、权利要求3所述的设备,其特征在于,所述基片架适宜支撑多个基片,以便将所述基片彼此分开平行配置。
5、权利要求4所述的设备,其特征在于,所述各第二电极分别配置在所述诸基片各毗邻基片之间。
6、权利要求1所述的设备,其特征在于,所述至少一块基片垂直于所述第一电极且平行于所述第二电极配置。
7、权利要求1所述的设备,其特征在于,所述基片由一绝缘材料组成。
8、权利要求7所述的设备,其特征在于,所述基片是车窗。
9、权利要求7所述的设备,其特征在于,所述绝缘材料选自聚酯、醇酸树脂、不饱和聚酯、丙烯酸树脂和氨基树脂。
10、权利要求1所述的设备,其特征在于,所述基片架借助于电容器与所述反应室绝缘。
11、权利要求1所述的设备,其特征在于,所述等离子体处理是一刻蚀工序。
12、权利要求1所述的设备,其特征在于,所述等离子处理是一淀程工序。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的