[发明专利]等离子体处理方法和设备无效

专利信息
申请号: 89107237.3 申请日: 1989-09-16
公开(公告)号: CN1025353C 公开(公告)日: 1994-07-06
发明(设计)人: 山崎舜平;土屋三宪;林茂则;广濑直树;石田典也;佐佐木麻里;川野笃 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/26
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 肖掬昌,曹济洪
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 方法 设备
【权利要求书】:

1、一种等离子体处理设备,其特征在于,该设备包括:

-真空室;

-真空泵,连接到所述真空室,以便将所述真空室抽成真空;

-气体引入系统,连接到所述真空室,以便将反应气体输入所述真空室中;

-对第一电极,设在所述真空室中;

-第一电压源,用以将第一高频交流电压加到所述各第一电极之间,以便将所述真空室中的反应气体转化成等离子体;

-基片架,用以将所述设备要处理的基片支撑在所述各第一电极之间;

至少一对第二电极,配置得使所述基片架所支撑的基片位于所述第二电极之间,和所述基片是绝缘的且和所述第二电极在空间上隔离;以及

-第二电压源,用以将第二交流电压加到所述各第二电极之间,从而增强所述基片表面的溅射作用。

2、权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第一交流电压的频率选取1兆赫至50兆赫的范围。

3、权利要求2所述的设备,其特征在于,所述第二交流电压的频率选取10赫至100千赫的范围。

4、权利要求3所述的设备,其特征在于,所述基片架适宜支撑多个基片,以便将所述基片彼此分开平行配置。

5、权利要求4所述的设备,其特征在于,所述各第二电极分别配置在所述诸基片各毗邻基片之间。

6、权利要求1所述的设备,其特征在于,所述至少一块基片垂直于所述第一电极且平行于所述第二电极配置。

7、权利要求1所述的设备,其特征在于,所述基片由一绝缘材料组成。

8、权利要求7所述的设备,其特征在于,所述基片是车窗。

9、权利要求7所述的设备,其特征在于,所述绝缘材料选自聚酯、醇酸树脂、不饱和聚酯、丙烯酸树脂和氨基树脂。

10、权利要求1所述的设备,其特征在于,所述基片架借助于电容器与所述反应室绝缘。

11、权利要求1所述的设备,其特征在于,所述等离子体处理是一刻蚀工序。

12、权利要求1所述的设备,其特征在于,所述等离子处理是一淀程工序。

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