[发明专利]等离子体处理方法和设备无效

专利信息
申请号: 89107237.3 申请日: 1989-09-16
公开(公告)号: CN1025353C 公开(公告)日: 1994-07-06
发明(设计)人: 山崎舜平;土屋三宪;林茂则;广濑直树;石田典也;佐佐木麻里;川野笃 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/26
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 肖掬昌,曹济洪
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 方法 设备
【说明书】:

本发明涉及一种等离子体处理方法和设备。更详细地说,本发明涉及,但不是唯独的,将碳质材料保护膜粘附到较软基片上以便在基片上形成透明的电绝缘涂敷层的一种方法。

迄今,有许多方法可以将硬而薄的钻石状碳质薄膜淀积到基片上。这里“钻石状碳”一词是指硬度特大的碳,举例说,它既不能用剃刀片切割又不能用钢丝绒刮出痕来。其化学键合方式与石墨SP2的三角形键合方式不同,看来是SP3钻石般的四面体键合方式占优势。用X射线检查钻石状碳膜可能有也可能没有结晶性的迹象。

日本专利申请昭56-146936叙述了一个实例,在该实例中,碳的淀积过程是与已淀积的碳材料用加速离子进行轰击的同时进行的,从而有选择地除去软质材料部分而留下较硬的材料,这种方法在提高如此淀积出来的碳膜的硬度方面技术效果优越。但按这个方法涂敷基片以在其上产生溅射作用,需要给基片加偏压。因此当基片由绝缘材料制成时,这种方法的好处就有所减少。

因此本发明的一个目的是提供一种新型的等离子体处理设备和方法。

为达到上述和其它目的和优点,如在待处理的玻璃基片之类的基片两侧,除在真空室设有一对产生等离子气体用的电极外,还在基片两侧的真空室中设置另一对辅助电极。往各辅助电极之间加较低频的电压,使等离子体的离子轰击基片。

通过等离子处理,可以淀积出硬质薄膜,因为离子的轰击作用必然会有选择地除去淀积过程中淀积出来的材料的较软部分。碳质薄膜是用碳化物气体形成时,其硬度和电阻率可通过加入氟化物气体加以控制。包含在淀积出来的碳膜中的氟还起提高碳膜防水性能的作用。这种碳膜适宜用作汽车玻璃窗上的保护性涂敷层。

其它适合用本发明进行处理的基片系由例如电阻率不小于1015欧厘米的绝缘材料制成,例如聚酯、醇酸树脂、无油醇酸树脂、不饱和聚酯、丙烯酸树脂和氨基树脂等。特别是,在造汽车中适用的有机材料有丙烯酸清漆、丙烯酸黑色素和丙烯酸氨基甲酸酯。

结合附图阅读下面的详细说明即可更好地理解本发明的内容,附图中:

图1是本发明一个实施例的等离子体CVD(化学汽相淀积)设备的横向剖视示意图;

图2A和2(B)是用本发明的涂敷了碳保护膜的汽车窗玻璃的垂直和水平剖视图;

图2(C)是图2(A)和2(B)所示实施例的一个修改方案的横向剖视示意图;

图3(A)和3(B)是涂敷了本发明碳保护膜的一个圆筒的水平和透视剖面示意图;

图4(A)和4(B)是涂敷了本发明的碳保护膜的一条尺的透视图和剖视图;

图5(A)和5(B)是涂敷了本发明的碳保护膜的直角尺的透视图和剖视图。

现在参看图1,这是一个化学汽相淀积设备的示意图。该设备包括下列各部分:一真空室9,其中形成有一个淀积空间,一抽真空系统25,包括一回转泵25和一涡轮分子泵22,该两个泵通过阀21连接到室7上,一供气系统30,包括四条供气管线,各管线设有连接到反应室7的流量计29和阀28,一对两状铝电极3-1和3-2,安置在淀积空间内的上部位置和下部位置;一电源40,供供电给网状电极3-1和3-2之用;多个基片架20,供固定基片1之用,各基片架通过电容器19连接到室7上;多个网状铝电极50(13-n,13-n′),各电极介在毗邻各基片之间,偏压供应装置17,供往毗邻各电极50之间加交流电压之用,反应室7配备有一闸阀9,待涂敷的基片即通过该闸阀配置入室7中。

电源40包括第一电源15-1、第二电源15-2和相位调节器26。第一电源15-1经由具有LCR(电感-电容-电阻)电路的匹配器16-1将交流电压供到网状电极3-1上。第二电源15-2经由具有LCR电路的匹配器16-2将交流电压供到网状电极3-2上。相位调节器26连接在第一电源15-1与第二电源15-2之间。第一和第二电源都分别在端子5-1和5-2处接地。偏压供应器17配备有第一和第二交流电压源17-1和17-2,两电压源将交流电压供到各毗邻电极13-n,与13-n′之间。电压源17-1和17-2的一个端子在5-3处接地。

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