[发明专利]MOS集成电路防静电保护器无效
| 申请号： | 89107904.1 | 申请日： | 1989-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN1050950A | 公开（公告）日： | 1991-04-24 |
| 发明（设计）人： | 孙万杰 | 申请（专利权）人： | 孙万杰 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H05F3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 471711 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 集成电路 静电 保护 | ||
【权利要求书】：
1、一种MOS集成电路防静电保护器，其特征在于所述保护器是一种自上方卡附在电路器件上的金属材料成型，或内沿具有导电层或导电材料的注塑件。或贴附形式，保护器内沿的导电体或导电材料与MOS集成电路各脚连通，使各脚同电位。
2、如权利要求1所述的MOS集成电路防静保护器。其特征在于所述保护器在焊接使用或包装运输后可方便的取下。具有多次使用性。
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