[发明专利]MOS集成电路防静电保护器无效

专利信息
申请号: 89107904.1 申请日: 1989-10-11
公开(公告)号: CN1050950A 公开(公告)日: 1991-04-24
发明(设计)人: 孙万杰 申请(专利权)人: 孙万杰
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60;H05F3/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 471711 *** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: mos 集成电路 静电 保护
【说明书】:

发明属于电子器件,一种MOS集成电路保护器。

MOS集成电路是金属一氧化物一半导体场效应集成电路简称,分CMOS、PMOS、NMOS等多种电路形式。特别是CMOS集成电路。因其具有功耗低、工作电压范围宽,抗干扰能力强,逻辑摆幅大,输入阻抗高,输出能力强,成本低等一系列特点。广泛应用于空间电子设备,军、民电子产品及工业控制设备中,使用量之大仅次于TTL集成电路,具有较高输入阻抗。使该类器件在未接入电子线路前。由于感应电场,摩擦等产生的静电就很难得以泄放,造成内电路的击穿。直接影响了MOS集成电路的使用率。因而对于焊接工具,包装及使用环境要求较为苛刻,现有的焊接工具处理MOS电路时要进行良好接地。成本高,不方便,包装又必须使用塑料包装,但是,无论如何,还不能彻底杜绝MOS集成电路发生击穿的机会。使器件使用率下降,使用工具成本较高。

本发明的MOS集成电路保护器目的是保护MOS集成电路在测试前及焊接或包装时不因静电感应被击穿,提高使用率。

本保护器的特征是:保护器自上方卡附或贴附在器件以后:保护器内沿的导电体或导电材料与MOS集成电路各脚连通,与MOS集成电路各脚同电位,使得静电荷能得以及时泄放,避免了MOS集成电路发生静电击穿。

本MOS集成电路防静电保护器可以是全金属材料成型或内沿具有导电材料的注塑件或其它导电材料成型。

本MOS保护器具有多次使用性,并采用环绕形的由上方卡附或边卡附形式及金属箔材围绕式等方法使用。

本MOS保护器可以是在以上基础上加透明上盖的结构,本MOS保护器可以是贴附的具有连通集成电路各脚电位和具有粘贴材料构成,本技术通过卡附在MOS集成电路器件上的保护器。从根本上杜绝了MOS集成电路在接入电子线路通电前因焊接摩擦、感应等造成的静电击穿,适用于任何环境中,进行存贮,运输,使用。对焊接工具。工作间环境无特殊要求,由于本MOS保护器卡附在MOS集成电路后,具体尺寸与原器件相比变化不大。所以外包装仍可采用现行的条包装或直接采用纸盒包装,可大大降低包装成本,本MOS保护器在进行测量前或接入电子线路通电前或插入焊接后,可方便取下,并可反复使用因其具有以下方便性和良好的保护性能。广泛适用于MOS电路生产厂家,销售单位,电子工作人员使用。同时能保证器件使用率达到100%。

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