[发明专利]磁光记录介质

权利要求书

1、一种磁光记录介质在基体上至少具有一层增强膜(Ⅰ)和一层磁光记录膜(Ⅱ)，其特征在于：增强膜(Ⅰ)是由SiN_x(其中0＜X＜1.33)所表示的折射率n至少为1.9的氮化硅膜所构成，而磁光记录膜(Ⅱ)具有200至5000的膜厚度是由[PdaPt_1-a]_y[RE_xTM_1-x]_1-y(其中至少50原子%的RE为Tb和/或Dy，其余为Nd、Gd、Ce、Eu、Pr、Ho、Tm或Sm，TM为Fe和/或Co，且0≤a≤1，0.2＜x＜0.7和0.05≤y≤0.3)所表示的并具有垂直于膜平面的易磁化轴的非晶态合金膜所构成。

2、一种磁光记录介质在基体上至少具有一层增强膜（Ⅰ）和一层磁光记录膜（Ⅱ），并在磁光记录膜（Ⅱ）上配备有反射膜，其特征在于：增强膜（Ⅰ）是由SiN_x（其中0＜X＜1.33）所表示的折射率n至少为1.9的氮化硅膜所构成，而磁光记录膜（Ⅱ）具有200至5000的膜厚度是由[Pb_xPt_1-a]_y[RExTM_1-x]_1-y（其中，至少50原子%的RE为Tb和/或Dy，其余的Nd、Gd、Ce、Eu、Pr、Ho、Tm或Sm，TM为Fe和/或Co，且0≤a≤1，0.2＜x＜0.7和0.05≤y≤0.3）所表示的并具有垂直于膜平面的易磁化轴的非晶态合金膜所构成。

3、根据权利要求1或2所述的磁光记录介质，其特征是增强膜（Ⅰ）的折射率n为2.1-3.0，它由SiN_x（其中0.7＜x＜1.3）的氮化硅膜所构成。

4、根据权利要求1或2所述的磁光记录介质，其特征是增强膜（Ⅰ）具有300至800的膜厚。

5、根据权利要求1或2所述的磁光记录介质，其特征是在磁光记录膜具有200至3000的膜厚。

6、根据权利要求2所述的磁光记录介质，其特征是反射膜具有至少为50%的反射率和小于2J/cm·sec·k的热导率。

7、根据权利要求2所述的磁光记录介质，其特征是反射膜由以下合金组成：

（a）含有作为主要组分的镍和选自硅、钼、铁、铬以及铜中至少一种的镍合金。

（b）含有作为主要组分的铁和选自铜、铬、钼、硅以及镍中至少一种的铁合金。

（c）含有作为主要组分的铜和选自铝、硅、锡、锌以及镍中至少一种的铜合金。

（d）含有作为主要组分的铅和选自铜、铋、碲以及锡中至少一种的铅合金，或

（e）不锈钢合金。