[发明专利]磁光记录介质

说明书

本发明涉及一种磁光记录介质，尤其是涉及一种具有优异的耐氧化性能、能在其上面形成一薄的增强膜、其基体不会翘曲、不发生剥离、且为生产能力强的磁光记录介质。

人们已了解到，由过渡金属如铽（Tb）和钆（Gd）所组成的合金而构成的非晶态膜具有垂直于该膜的磁缓轴（magnetic    easy    axis），并且能够通过对膜的磁化作用的逆平行磁化而形成小的反向的磁畴（inverse    magnetic）。通过使这种反向磁畴的存在或不存在相应地为“1”或“0”，就能够在如上所述的这种磁光记录膜上记录数字信号。

作为能用作磁光记录介质的、且由过渡金属和稀土金属所组成的非晶态膜，已经公开了的有：含有15-30原子%的Tb的Tb-Fe合金体系的非晶态膜，例如，如日本专利公告No.20691/1982号中所揭示的。作为磁光记录介质使用的还有：通过把第三种金属组分掺入到Tb-Fe体系的金属而制成的非晶态合金膜。再者，Tb-Co系磁光记录介质、Tb-Fe-Co系及其同类物质也已为人们所知。

人们发现，由如上所述的这种非晶态合金膜所构成的磁光记录介质具有优异的记录重放特性。然而，从实践的观点来看，这些磁光记录介质在被实际使用时存在着这样一种严重缺陷，即这些非晶态合金膜在其使用期间会发生氧化，结果，其特性会随时间而发生变化。

由含有如上所述的这种过渡金属和稀土元素的非晶态合金膜所构成的磁光记录介质的氧化变质之机理已被作了讨论，例如在日本应用磁学会杂志（Journal    of    Applied    Magnetism    Soceity    of    Japan） 第9卷第2期第93-96页上已经报导：氧化变质可被分成如下所述的三种类型。

a）针孔型腐蚀

针孔型腐蚀是指出现在非晶态合金膜上的小针孔。这种腐蚀主要是在高湿度的环境下发生的，它显著地出现在例如Tb-Fe系或Tb-Co系的非晶态合金膜中。

b）表面氧化

氧化层形成在非晶态合金膜的表面，其结果是膜的Kerr-旋转角θk随时间而变化，最终变小。

c）稀土金属的选择性氧化

存在于非晶态合金膜中的稀土金属被选择性地氧化，其结果是膜的矫顽磁力Hc大幅度地随时间而变化。

人们已经作了各种努力来阻止上述非晶态合金膜的这种氧化变质。例如，人们曾提出过在非晶态合金膜的表面具有由Si₃N₄、SiO、SiO₂、AlN或同类物质所组成的抗氧化保护层的磁光记录介质。然而，用于制造上述磁光记录介质的工艺存在着这样一个缺点，即不仅这种抗氧化的保护层本身是昂贵的，而且它的形成需要许多时间和劳力，此外，即使是形成在非晶态合金膜上的这种保护层在防止所述非晶态合金膜氧化变质的过程中并不是始终足够地有效的。

例如，以上所引用的日本应用磁学会杂志（Journdl    of    Applied    Magnetism    Soceity    of    Japan）揭示了一种尝试，具体是通过在所述膜中以不高于3.5原子%的量掺入第三种金属组分如Co、Ni、Pt、Al、Cr或Ti来改善Tb-Fe或Tb-Co系合金的抗氧性。在所引用的杂志中，据报导，在Tb-Fe或Tb-Co系的非晶态合金膜中掺入少量的Co、Ni或Pt能够有效地阻止所述合金膜的上述表面氧化以及针孔腐蚀，但对于防止Tb（存在于所述合金中的一种稀土金属）的选择性氧化（如上所述）来说却毫无作用。这一揭示意味着，当少量 选择性氧化（如上所述）来说却毫无作用。这一揭示意味着，当少量Co、Ni或Pt被加入到Tb-Fe或Tb-Co系的非晶态合金膜中时，Tb在所生成的合金膜中被选择性氧化，因而，所述合金膜的矫顽磁力就随时间而大幅度变化。从这可得出，即使当少量的3.5原子%以下的Co、Ni或Pt被加入至Tb-Fe或Tb-Co系非晶态合金膜，所生成合金膜的抗氧化性也没有得到足够的改善。