[发明专利]聚氯硅氮烷的制备方法无效
| 申请号： | 89108960.8 | 申请日： | 1989-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1031462C | 公开（公告）日： | 1996-04-03 |
| 发明（设计）人： | 提罗·瓦斯;马塞路斯·皮尤克特;马丁·布鲁克 | 申请（专利权）人： | 赫彻斯特股份公司 |
| 主分类号： | C08G77/62 | 分类号： | C08G77/62;C04B35/58 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张元忠 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚氯硅氮烷 制备 方法 | ||
1.聚氯硅氮烷的制备方法，其特征在于，使通式(I)的低聚硅氮烷
(其中，n为2至12)和式(II)(RSiHNH)m的低聚硅氮烷。其中m为3至12)的混合物与氯硅烷Cl2R2Si-CH2-CH2-SiR2Cl2、Cl3Si-CH2-CH2-SiR3Cl2、R4SiCl3或R5SiHCl2中至少一种在30℃至300℃时反应，其中R和R1至R5为C1-C6烷基或C2-C6链烯基，它们可相同或不同。
2.聚氯硅氮烷的制备方法，其特征在于，使由具有下式结构的1，2-双(有机基二氯甲硅烷基)乙烷与NH3反应获得的低聚硅氮烷和由RSiHCl2与NH3反应获得的低聚硅氮烷的混合物与氯硅烷Cl2R2Si-CH2-CH2-SiR2Cl2、Cl3Si-CH2-CH2-SiR3Cl2、R4SiCl3或R5SiHCl2中至少一种在30℃至300℃时反应，其中，R和R1至R5为C1-C6烷基或C2-C6链烯基，它们可相同或不同。
3.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，R和R1至R5为C1-C3烷基或C2-C3链烯基。
4.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，R＝R1＝R2＝R3＝R5＝CH3和R4＝CH3或乙烯基。
5.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，氯硅烷与低聚硅氮烷单体单元的摩尔比约为0.1∶1至1∶1。
6.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，在反应物混合时使温度保持在30℃至50℃，并随后加热至100℃至300℃。
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