[发明专利]半导体器件的制造方法在审
申请号: | 90100191.0 | 申请日: | 1986-03-19 |
公开(公告)号: | CN1043828A | 公开(公告)日: | 1990-07-11 |
发明(设计)人: | 冲永隆幸;馆宏;尾崎弘;大宽治;古川道明;山崎康行 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所;日立弗尔希工程株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/48 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
1、一种半导体器件的制造方法,包括下列步骤:
(1)制备一包含多根引线的引线框架,每根引线均有一个内引线部分和一个外引线部分;
(2)把一绝缘片固定在所述引线的一个或几个内引线部分上一
(3)将一其上具有多个压焊块的芯片固定在所述绝缘片上;
(4)用压焊线使所述内引线部分和相应的压焊块之间实现电连接;
(5)把所述芯片、所述内引线部分和所述压焊线密封在树脂内。
2、如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,所述绝缘片至少是由硅橡胶、聚酰亚胺薄膜或有机材料中的一种制成的。
3、一种制造半导体器件的工艺过程,包括下列步骤:
(1)制备一包含多根引线的引线框架,每根引线均有一个内引线部分和一个端部,这些内引线部分基本在一个平面内延伸并分成第一、第二、第三和第四组,各组均有多根内引线部分;
(2)把一绝缘片固定在所述引线的内引线部分上;
(3)将一矩形半导体芯片固定在所述绝缘片上,所述芯片上至少有一个电子器件和多个压焊块,该芯片有第一、第二、第三和第四侧边;
(4)用压焊线使所述内引线部分和相应的压焊块实现电连接;
(5)将所述芯片、内引线部分和压焊线密封在树脂内;
其中,所述第一组内引线部分至少和所述芯片的第一侧边相交,且其端部延伸到靠近所述芯片的第三侧边排列的压焊块附近;
所述第二组内引线部分至少和所述芯片的第一侧边相交,且其端部延伸到靠近所述芯片的第四侧边排列的压焊块附近,
所述第三组内引线部分至少和所述芯片的第二侧边相交,且其端部延伸到靠近所述芯片的第三侧边排列的压焊块附近。
所述第四组内引线部分至少和所述芯片的第二侧边相交,且其端部延伸到靠近所述芯片的第四侧边排列的压焊块附近。
4、如权利要求3所述的制造半导体器件的工艺过程,其中,所述绝缘片至少是由硅橡胶、聚酰亚胺薄膜或有机材料中的一种制成的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所;日立弗尔希工程株式会社,未经株式会社日立制作所;日立弗尔希工程株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造