[发明专利]半导体器件的制造方法在审
申请号: | 90100191.0 | 申请日: | 1986-03-19 |
公开(公告)号: | CN1043828A | 公开(公告)日: | 1990-07-11 |
发明(设计)人: | 冲永隆幸;馆宏;尾崎弘;大宽治;古川道明;山崎康行 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所;日立弗尔希工程株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/48 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
本发明是关于一种半导体器件的制造方法,更具体地说是关于能有效应用于树脂封装式半导体器件的连接技术。
图8为普通引线框架的平面图,该引线框架用于普通树脂封装式半导体器件,特别是树脂封装型64 KSRAM大规模集成电路的生产中。图中,数码100表示框架,101为外引线,102为内引线,103为连接杆,104为台面,105为台面的引线。
在树脂封装式半导体器件生产中有这样一种趋势,即管壳边缘与固定芯片的台面之间的距离随着芯片尺寸增大的趋势而变得越来越窄。其原因是由于对于芯片来说,管壳的尺寸是标准化了的,尽管芯片的尺寸在增大,管壳的尺寸却不能变大。
因此,可以预料这必然会大大降低所谓短引线的粘着性,因为在结构上,作为外电极的这些导线埋在构成管壳的树脂中的那部分长度较短,所以引线很容易脱落,而且在引线弯曲过程中,引线与树脂之间很易产生剥离。
本发明的发明人发现这可能导致低劣的电接触、降低抗湿性等,从而降低半导体器件的可靠性。
1980年1月15日,株式会社工业调查会发行、日本微电子学协会编写的《集成电路安装技术》一书的149-150页上对树脂封装式半导体器件作了描述。
本发明的目的是提供一种改进的半导体器件的制造方法,特别是安装大芯片的半导体器件的制造方法。
本发明的目的以及新颖特征将由下面的说明及附图表达清楚。
确切地说,本发明是这样来改善内引线与构成管壳的树脂间的粘结力的,即,在树脂封装的半导体器件中使引线延伸到待安装芯片的电路形成面上或其附近,或者延伸到此芯片主要的非电路形成面上或其附近,这样就能使引线的内引线部分延长。
图1为沿图2中Ⅰ-Ⅰ线的剖面图,它表示用本发明的实施例1的方法制造的半导体器件;
图2为表示实施例1的半导体器件的芯片与引线关系的平面图;
图3为实施例1的方法中所用引线框架的部分平面图,它表示了电渡过程中框架的状态;
图4为表示用本发明的实施例2的方法制造的半导体器件的芯片与引线关系的平面图;
图5为沿图4中Ⅴ-Ⅴ线的部分剖面图,它表示出实施例2的半导体器件的内部结构;
图6为沿图7Ⅵ-Ⅵ线的剖面图,图7表示用本发明的实施例3的方法制造的半导体器件;
图7为表示实施例3的半导体器件的芯片与引线间关系的平面图;
图8为普通树脂封装的半导体器件生产中所用的引线框架的平面图。
〔实施例1〕
图1为沿图2中Ⅰ-Ⅰ线的剖面图,它为用本发明实施例1的方法制造的半导体器件。图2为表示实施例1的芯片与引线关系的平面图。
实施例1的半导体器件是一个所谓的树脂封装式半导体器件。即,半导体芯片1与起外引线作用的引线2的内引线部分一起埋在构成管壳3的树脂当中,如环氧树脂(以下称为“封装树脂”),引线2在管壳外面的外部引线在靠近管壳3的边上向下弯曲。
在普通的树脂封装式半导体器件中,芯片与一个起安装板作用的台面相接触,台面的尺寸实质上与芯片相同,而起芯片电极作用的压焊块则通过起压焊线作用的细金属丝与布置在台面外围的引线的内端部分形成电连接。
而在实施例1的半导体器件中,引线延伸到芯片1的背面(即不形成半导体集成电路的主要非电路形成面)。芯片靠粘结剂6与聚酰亚胺树脂的绝缘薄片5相连,该薄片与这些引线粘连在一起。在这种情况下,引线框架上没有安装芯片用的台面。绝缘薄片使引线之间达到电绝缘。在本实施例中,如果没有绝缘薄片5,引线之间就会通过导电的芯片1产生短路。为了避免短路,在芯片1和引线之间放置了该绝缘薄片5。
如图2所示,上述芯片1与引线2的位置关系是这样的,引线2a的外引线沿芯片1上不准备形成压焊块7的两边(以下,称“无压焊块形成边”)排列,引线2a的内引线在该芯片1的背面(主要的非电路形成面)延伸,而其端部2b则一直从该芯片打算形成压焊块7的边上延伸出来。绝缘薄片5粘接到引线2a上,芯片1用其为主要非电路形成面的下表面与绝缘薄片5的上表面相接。
在普通的树脂封装式半导体器件中,具有在芯片1下面延伸的内引线的引线2a被封装树脂埋置的地方只有从管芯边缘到台面附近的非常有限的长度,只能提供很短的引线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造