[发明专利]采用吸附扩散源的掺杂方法

权利要求书

1、一种掺杂的方法，包括：

第一工序，除去半导体表面的隋性膜；

第二工序，将气态杂质原子或含有杂质原子的气体化合物施加于半导体表面，形成杂质原子或含杂质原子的化合物的吸附层；

第三工序，采用第二工序中形成的吸附层作为杂质扩散源进行固相扩散并进行杂质的活化。

2、根据权利要求1的方法，其中，吸附层实质上是在硅衬底上形成的硼的层。

3、根据权利要求1的方法，其中，吸附层包括至少一个由含杂质元素的杂质层和半导体外延层组成的复合层。

4、根据权利要求2的方法，其中，吸附层是通过施加乙硼烷而形成的。

5、根据权利要求3的方法，其中，杂质层含有硼原子，半导体外延层含有硅。

6、根据权利要求5的方法，其中，含硼层是通过施加乙硼烷形成的，硅外延层是通过施加二氯甲硅烷形成的。

7、根据权利要求1的方法，其中，第三工序通过灯退火或束退火实现。