[发明专利]高度集成的半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种高度集成半导体存储器件，其特征在于包括第一和第二多个存储单元，在所述第一多个存储单元中的每个存储单元包括在一半导体衬底上形成的第一开关晶体管和与所述第一开关晶体管相耦合的第一电容，在所述第二多个存储单元中的每个存储单元包括在半导体衬底上形成的第二开关晶体管和与所述第二开关晶体管相耦合的第二电容，所述第一和第二存储单元的每一个交替地安置在多个行的每一个中，在所述第一多个存储单元的每一存储单元中的每个第一电容还包括：

第一存储电极，包括部分地在所述衬底上形成的沟道部分，和叠合在所述相邻第二存储单元的部分上的第一堆垛部分；以及

在所述第二多个存储单元中的每个存储单元中的每个第二电容还包括：

第二存储电极，仅包括叠合在所述相邻第一存储单元的部分上的第二堆垛部分，且不包括部分地在所述衬底上形成的沟道部分。

2.一种如权利要求1的高度集成半导体存储器件，其特征在于，其中上述的第一存储单元和第二存储单元被交替地并且彼此相邻地在横向和纵向上分布。

3.一种如权利要求2的高度集成半导体存储器件，其特征在于，其中上述沟道型电容器是外沟道型电容器。

4.一种如权利要求3的高度集成半导体存储器件，其特征在于，其中，上述沟道的深度在大约0.5μm-10μm的范围。

5.一种制造高度集成半导体存储器件的方法，其特征在于包括以下的步骤：

在第一种导电类型半导体衬底上生长场氧化物层来限定有源区域；

在上述有源区域上形成作为存储单元元件的晶体管，以及在所得结构上形成一层第一绝缘层；

形成联接上述晶体管的相应漏区的位线、以及在所得结构上形成一层第二绝缘层；

通过露出源区的预定部分形成第一开口，以形成有着组合堆垛—沟道电容器的第一存储单元；

利用上述第一开口在半层体衬底上形成沟道；

在上述沟道表面和第二绝缘层上形成电容器，以及在所得结构上形成一层第三绝缘层；

形成第二开口，以便露出与上述第一存储单元在横向和纵向相邻分布的晶体管的源区；以及

通过上述第二开口形成堆垛型电容器。

6.一种如权利要求5的制造高度集成半导体存储器件的方法，其特征在于，其中，上述的形成第二绝缘层的步骤包括在形成上述位线之后相继地形成一层第一氧化物层、一层氮化物层和一层第二氧化物层的步骤。

7.一种如权利要求5的制造高度集成半导体存储器件的方法，其特征在于，其中形成电容器和第三绝缘层的步骤包括在上述沟道的表面和第二氧化物层上形成用作电容器第一电极的导电层，和随后在所得结构上淀积一层内平面层。

8.一种根据权利要求7的制造高度集成半导体存储器件的方法，其特征在于，其中上述形成堆垛型电容器的步骤包括通过第二开口形成一层用作为堆垛型电容器第一电极的导电层。

9.一种根据权利要求5的制造高度集成半导体存储器件的方法，其特征在于，其中上述第一氧化物层和第二氧化物层是HTO层。

10.一种根据权利要求7的制造高度集成半导体存储器件的方法，其特征在于，其中上述内平面层是一层SOG层。

11.一种根据权利要求7的制造高度集成半导体存储器件的方法，其特征在于，其中上述内平面层是由SOG层和HTO层形成的堆垛层。

12.一种根据权利要求7的制造高度集成半导体存储器件的方法，其特征在于，其中上述内平面层是由HTO层和BPSG层形成的堆垛层。

13.一种根据权利要求7的制造高度集成半导体存储器件的方法，其特征在于，其中在上述形成电容器和第三绝缘层的步骤之后，除去在上述氮化物层上的第二氧化物层和内平面层。

14.一种根据权利要求13的制造高度集成半导体存在器件的方法，其特征在于其中是用湿腐蚀法除去上述第二氧化物层和内平面层。

15.一种根据权利要求13的制造高度集成半层体存储器件的方法，其特征在于，其中在上述的腐蚀氧化物层和内平面层的步骤之后，在露出的上述导电层的整个表面上同时形成介电膜。