[发明专利]半导体器件的隔离方法无效
| 申请号： | 90109410.2 | 申请日： | 1990-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN1020991C | 公开（公告）日： | 1993-05-26 |
| 发明（设计）人： | 权五铉;裴东住 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,肖掬昌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 隔离 方法 | ||
1、一种制造具有隔离区的半导体器件的方法，其特征在于，它包括下列步骤：
在第一导电型的半导体衬底上形成第一氧化层；
形成一多层结构，它包括一层覆盖所说第一氧化层的多晶硅层，一层覆盖所说多晶硅层的氮化物层，和一层阻挡杂质离子的氧化物层；
除去一部分多层结构中所说氮化物层上的各层以露出一部分所说多晶硅层，该露出的部分所说多晶硅层覆盖在所说衬底的隔离区上，而一部分未露出的所说多晶硅层覆盖在所说衬底的有源区；
通过露出的所说多晶硅层出注入适当剂量的杂质离子以在衬底形成沟道阻挡区；
氧化该露出的所说多晶硅层，以提供一层覆盖在所说隔离区上的覆盖氧化物层；
从所说衬底的有源区上除去所说多层结构，以形成一已刻图的包括所说第一氧化层的隔离层，和一部分覆盖在所说有源区上的所说第一氧化层；
在该衬底的整个表面上淀积一第二氧化层，并选择性地刻蚀所说第二氧化层，以在所说隔离层的侧壁处形成分隔层；
在所说衬底的有源区上形成栅氧化层；
在所说栅氧化层上形成栅电极；以及
在所说衬底里的下伏栅电极形成第二导电类型区。
2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，它包括氧化所说露出的多晶硅层，该氧化层的厚度小于所说多晶硅层的总厚度，以便在覆盖在所说隔离区上留下一部分所说多晶硅层。
3、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，它包括，使用一种反应离子刻蚀法以除去覆盖所说有源区的那部分所说第一氧化层，但不除去覆盖在所说隔离区上的所说多晶硅层的留下部分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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