[发明专利]光学记录介质和其制造方法在审
| 申请号： | 90110053.6 | 申请日： | 1989-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1053688A | 公开（公告）日： | 1991-08-07 |
| 发明（设计）人： | 重松茂人;续山浩二 | 申请（专利权）人： | 三井石油化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03G5/00 | 分类号： | G03G5/00 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 记录 介质 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种包含基体、在基体上形成的记录层和在记录层上形成的保护层的光学记录介质，其中记录层由一束能量照射，由此造成记录层上受照射部分的光学性能改变，从而记录下信息，其中所述记录层是包含T
e、Pd和N的薄膜。
2、如权利要求1所述的光学记录介质，其特征在于Pd在所述记录层中的含量为1至80原子%（以记录层中包含的总原子数为基准）。
3、如权利要求1所述的光学记录介质，其特征在于N在记录层中的含量为0.1至60原子%（以记录层中包含的总原子数为基准）。
4、一种制造包括基体、在基体上形成的含有Te、Pd和N的记录层以及在所述记录层上形成的保护层的光学记录介质的方法，其中记录层由一束能量照射，由此造成记录层上受照射部分的光学性能改变，从而记录下信息，在该方法中，所述记录层是在Ar和N2气氛中采用包括Te和Pd的靶由反应性溅射方法在基体上形成的，所述N2相对于Ar和N2总流动的流量[N2/（Ar+N2）]在1至80%范围内。
5、如权利要求4所述的方法，其特征在于所述流量[N2/（Ar+N2）]在10至40%范围内。
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