[发明专利]光学记录介质和其制造方法

说明书

本发明涉及光学记录介质和其制造方法，更具体地说，涉及设计成在安装在基体上的记录层上投射一束能量诸如光线或热量而由此改变在被照射部分上的光学性能以记录信息的光学记录介质及其制造方法。

光学记录介质可被分成两类：一类被设计成在记录层的部分形成物理变形部分（凹坑），包括孔和凹面，另一类被设计成在记录层部分产生相变并形成光学性能（折射率、反射率、透射率和其他性能）改变的部分。在目前，主要采用在记录层部分形成物理变形部分诸如孔（凹坑形成方法）的光学记录介质。

然而，凹坑形成型光学记录介质存在下列问题：（1）当在记录层部分形成凹坑时，需要相当大的光能用以记录，（2）记录凹坑的形状很难控制，（3）高密度下的记录困难，以及（4）不能将两种光学记录介质相互间紧密地粘附和叠合。相反，通过记录层部分的相变来改变光学性能的光学记录介质（相变型）可以解决上述凹坑形成型光学记录介质的问题。

作为相变型光学记录介质，例如具有由Te、Ge和Sb构成的合金化记录层（日本专利公报第62-19618号）和具有由Te、Sn、Zn和S构成的记录层（日本专利公报第62-167632）的光学记录介质是众所周知的。然而，在这种具有由合金构成的记录层的光学记录介质中，当在基体上形成记录层时，较难控制合金的组成，这造成了低的再现性，并且不可能以高的生产率生产出具有所希恒定的运转性能的光学记录介质。

作为相变型光学记录介质，具有包含Te  Ox的记录层的记录介质（日本专利公报第50-46317号）也是已知的，该光学记录介质存在下列问题：（1）非晶态时的稳定性低，即由于记录层的结晶温度低而使其服役寿命短，（2）当在氧气氛中实现反应性溅射时，由于氧促进了燃烧，因而不能保证形成所述记录层过程中的安全性。

本发明的发明者在具有包含Te作为其主要成分的相变型记录层的光学记录介质上作了很大努力，从而发现，在基体和保护层之间具有除Te之外还含有N和如果必要还可包含Pd的记录层的光学记录介质具有改进的记录层非晶态稳定性（保持非晶态稳定的性能）和提高的耐氧化性，并且光学记录介质的寿命可以延长。发明者也已发现，通过将记录层的厚度设置在一定的范围内，可以减少信息的读出误差。

本发明是基于这样的新知识完成的，因此本发明的一个目的是为了以相变方法提供光学记录介质，所术介质能够增加记录层的非晶态稳定性，并提高耐氧化性，延长光学记录介质的寿命，并且减少读信息时的误差。

为了达到上述目的，本发明的第一种光学记录介质包括基体、在基体上形成的记录层和在记录层上形成的保护层，其中记录层是由一束能量照射，由此使记录层上受照射的部分发生相变，并形成了光学性能改变的部分，从而记录信息。上述记录层是一层含有Te和N的薄膜。

本发明的第二种光学记录介质包括基体、在基体上形成的记录层和在记录层上形成的保护层，其中记录层由一束能量照射，由此造成记录层上受照射部分的相变，并且形成光学性能改变的部分，从而记录信息，上述记录层是包含Te、Pd和N的薄膜。

本发明的第一种方法是制造一种包括基体、在基体上形成一层包含Te和N的记录层和在记录层上形成的一层保护层的光学记录介质，其中记录层由一束能量照射，由此造成记录层上受照射部分的相变，并形成光学性能变化的部分，从而记录下信息，其中当在基体上形成记录层时，反应性溅射是在Ar和N₂气的气氛中完成的，并且N₂对Ar和N₂总流动的流量比[N₂/（Ar+N₂）]系设置在5至50%的范围内。

本发明的第二种方法是制造一种包括基体、在基体上形成一层包含Te、Pd和N的记录层和在记录层的上面形成一层保护层的光学记录介质，其中记录层由一束能量照射，由此造成记录层上受照射部分的相变，并形成光学性能改变的部分，从而记录信息，其中当在基体上形成记录层时，反应性溅射是通过采用包括Te和Pd的靶子和在Ar和N₂气的气氛中完成的，并且N₂对Ar和N₂总流动的流量比[N₂/（Ar+N₂）]在1至80%的范围内。

根据本发明的上述光学记录介质和其制造方法，通过将N和Pd（如果必要）结合入主要由Te构成的记录层，并通过将记录层安置在基体层和保护层之间，可以改变记录层的非晶态稳定性和耐氧化性能，并可延长光学记录介质的使用寿命。另外，通过将记录层的厚度调节在一特定值，可以减少信息的读出误差。