[发明专利]具有垂直汽相淀积工艺形成的发射极的非平面场发射器件

权利要求书

1、一种形成基本上非平面的冷阴极场发射器件的方法，其特征在于下列步骤：

a)提供一具有腔体107的坯体；

b)只利用基本上垂直(但不绝对垂直)的汽相淀积工艺109在腔体内形成一发射极112，其中，腔体在汽相淀积过程中被逐渐封闭。

2、权利要求1的方法，其中提供具有腔体的坯体的步骤包括：

a1）提供一衬底101;

a2）在衬底上至少形成一层沉积层102，103和104;

a3）去掉至少一层沉积层的一部分从而形成腔体107。

3、权利要求2的方法，其中去掉至少一层沉积层的一部分的步骤包括去掉适量的沉积层以暴露衬底的一部分的步骤。

4、权利要求3的方法，其中在腔体内形成发射极的步骤包括形成发射极使其与衬底的暴露部分的至少一部分接触。

5、权利要求2的方法，其中至少一层沉积层为光敏抗蚀剂层104，利用汽相淀积法形成发射极的步骤还包括通过汽相淀积法在光敏抗蚀剂层上沉积材料的步骤。

6、权利要求1的方法，其中，在汽相淀积过程中只利用预定材料封闭腔体。

7、一种形成基本上非平面的冷阴极场发射器件的方法，其特征在于下列步骤：

a）提供一其上形成有腔体的坯体;

b）激发汽相淀积靶，以进行汽相淀积过程，其中靶和坯体相对保持基本固定，在汽相淀积过程中，腔体逐渐封闭，从而在腔体中形成发射极112。

8、一种形成基本上非平面的冷阴极场发射器件的方法，包括下列步骤：

a）提供一衬底101;

b）在衬底上至少形成一层介质层102;

c）在介质层上形成一金属化层;

d）在金属化层上形成一光敏抗蚀剂层;

e）去掉光敏抗蚀剂层、金属化层和介质层的预定部分，从而形成至少一个具有开口的腔体107;

f）激发汽相淀积靶，进行汽相淀积过程109，其中靶与衬底相互基本固定，在汽相淀积过程中，腔体逐渐闭合，从而在腔体内形成一发射极112。