[发明专利]无引线瓷介电容局部化学镀镍或铜方法无效

专利信息
申请号: 91103379.3 申请日: 1991-05-29
公开(公告)号: CN1057300A 公开(公告)日: 1991-12-25
发明(设计)人: 刘炳泗;袁维富;王国斌 申请(专利权)人: 抚顺石油学院
主分类号: C23C18/34 分类号: C23C18/34;C23C18/40;C04B41/88
代理公司: 中国石油化工总公司专利代理服务部 代理人: 李艳菁
地址: 113001 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 引线 电容 局部 化学 方法
【说明书】:

本发明属于化学镀领域,涉及到无引线瓷介电容表面金属化方法。

无引线瓷介电容表面金属化方法,一直采用传统的被银烧渗工艺,即将配制的银浆涂抹或印刷到瓷介电容规定的表面,为达到工艺要求,需3次被银,三次烧结,在其表面形成被银层。这种传统工艺不但要用大量的贵金属白银,而且涉及到银浆的配制,涂抹或印刷,高温烧结等,该方法过程复杂,周期长,能耗高,经济效益差等。提高经济效益以镍、铜代替贵金属是电子行业研究的重要课题,近年来,电子陶瓷全部浸镀技术已用于工业,但需用机械磨削的方法将边缘金属除去,这对于形状复杂的无引线瓷介电容不适用。日本专利(昭60-60994)陶瓷部分镀金属法是用可溶于碱的保护层墨水,在所希望的部位进行覆盖,干燥后粘附上钯和锡胶态催化剂,与碱溶液接触,使其活化的同时,将保护层墨水溶去,然后进行化学镀,该法虽能解决局部镀问题,但需事前保护,工艺复杂,且使用胶态钯催化剂,介电性能劣化,附着力低。中国专利(CN  86103987)《陶瓷玻璃常温化学镀铜、镍、钴》改变了原来的事前保护金属化法。其采用催化剂胶体的主体成分是铝、硅酸盐,催化金属是钯、铑、钴等卤化物。增稠剂是阿拉伯胶,聚乙烯醇等。表面活性剂是非离子型,阴离子,阳离子型。该法虽然能解决局部镀覆问题,但由于基体与镀层之间硅-铝层的存在,将导致电容器的介电损耗增加。对介电陶瓷,特别是高频无引线瓷介电容使用性很小。

本发明的目的是为无引线瓷介电容提供一种新的局部化学镀方法。该方法操作简单,成本较低,附着力强,介电性能良好。

本发明提供无引线瓷介电容局部金属化方法,发明特征是应用了含催化特性的浆料组成,将该浆料涂覆在基体表面,然后干燥,高温活化,经预镀后可进行化学镀镍,也可直接化学镀铜。催化浆料组成,又分为涂抹的催化浆料和印刷的催化浆料两种,涂抹的催化浆料组成由0.05~10%(重量)PdCl2;0.5~5%(重量)HCl(1∶1);50~95%(重量)甲基溶纤素;1~20%(重量)醋酸纤维素;1~20%(重量)聚乙二醇所组成。印刷的催化浆料的重量百分组成为0.05~10%(重量)PdCl2;0.1~5%(重量)HCl(1∶1);20~70%(重量)甲基溶纤素;10~20%(重量)环己酮;5~20%(重量)松油醇;1~30%(重量)醋酸纤维素;1~20%聚乙二醇;1~15%(重量)碳粉。

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