[发明专利]一种半导体器件静电放电特性的改进方法

权利要求书

1、一种改善半导体器件E.S.D(静电放电)特性的方法，包括下列步骤：

第一步，在n型外延层在半导体衬底上生长前形成，隐埋层；

第二步，形成隔离层以分割n型外延层；

第三步，在n型外延层上指定区域内形成P⁺区；

第四步，在n型外延层指定区域上形成n⁺区。

2、一种如权利要求1所述的方法，其中n⁺区与隐埋层位于同一垂直线上;

3、一种如权利要求1所述的方法，其中n⁺区与隔离层之间实际横向空间宽于n⁺区与P型硅衬底之间的纵向空间。

4、一种如权利要求1所述的方法，其中仅有狭小纵向空间的n⁺区和P型硅衬底间引入纵向击穿。

5、一种如权利要求4所述的方法，其中击穿电流依次沿n⁺区，n型外延层，隐埋层和P型硅衬底通路流动。