[发明专利]由聚合氢化硅氮烷制备作陶瓷材料用的四氮化三硅的方法无效

专利信息
申请号: 91103566.4 申请日: 1988-12-21
公开(公告)号: CN1023787C 公开(公告)日: 1994-02-16
发明(设计)人: 蒂洛·法斯;托马斯·格尔道;马赛鲁斯·波克特;马丁·布吕克 申请(专利权)人: 赫彻斯特股份公司
主分类号: C01B21/068 分类号: C01B21/068;C04B35/58;C08G77/60
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 陈季壮
地址: 联邦德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 聚合 氢化 硅氮烷 制备 陶瓷材料 氮化 方法
【权利要求书】:

1、一种制备含四氮化三硅的陶瓷材料的方法,该方法包括在惰性气氛,800至1400℃下,热解以下通式的聚合的氢化硅氮烷,

其中R是C1-C6-烷基或C2-C6-链烯基,x和y代表两个结构单元的摩尔分数。

2、一种制备含四氮化三硅的陶瓷材料的方法,该方法包括在NH3气氛,800至1400℃下,热解以下通式的聚合的氢化硅氮烷,

其中R是C1-C6-烷基或C2-C6-链烯基,x和y代表两个结构单元的摩尔分数。

3、如权利要求1或2的方法,其中R是甲基或乙烯基。

4、一种制备含四氮化三硅的陶瓷材料的方法,该方法包括在惰性气氛,800至1400℃下热解由下式的聚合的氢化硫代硅氮烷与过量NH3反应得到的聚合的氢化硅氮烷,

其中R是C1-C6-烷基或C2-C6-链烯基,x和y代表两个结构单元的摩尔份数。

5、一种制备含四氮化三硅的陶瓷材料的方法,该方法包括在NH3气氛,800至1400℃下热解由下式的聚合的氢化硫代硅氮烷与过量NH3反应得到的聚合的氢化硅氮烷,

其中R是C1-C6-烷基或C2-C6-链烯基,x和y代表两个结构单元的摩尔分数。

6、如权利要求1至5中任一项的方法,其中将聚合的氢化硅氮烷溶于有机溶剂,从此溶液中抽丝,并在溶剂蒸发后热解。

7、如权利要求1至5中任一项的方法,其中将粉末状聚合的氢化硅氮烷压制成成型制品后热解。

8、如权利要求1至5中任一项的方法,其中将聚合的氢化硅氮烷溶于有机溶剂,用此溶液制备涂层并在溶剂蒸发后热解。

9、如权利要求1,2,4和5中任一项的方法,其中热解在800至1200℃下进行。

10、如权利要求1,2,4和5中任一项的方法,其中热解在1200-1400℃下进行。

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