[发明专利]优质金刚石单晶的生长技术无效
| 申请号： | 91107563.1 | 申请日： | 1991-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1073616A | 公开（公告）日： | 1993-06-30 |
| 发明（设计）人： | 亓曾笃;曹振骏;周军学;陈光耀;朱德渝;陈文琍;柴文辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | B01J3/06 | 分类号： | B01J3/06;C30B29/04 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 聂淑仪 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 优质 金刚石 生长 技术 | ||
【权利要求书】：
1、一种优质金刚石单晶的生长技术，采用静高压高温技术，包括采用石墨、合金、导电片、导电圈及传压介质，其特征在于：
腔体采用合金-石墨相间并联式组装：在园柱形腔体中交替放置合金片5、石墨片4；合金片5与石墨片4的两端放置石墨片4和导电片2；外端放置导电环1，传压介质3作腔壁。
2、根据权利要求1的生长技术，其特征在于：
所述的传压介质是
（1）采用在半干压成型后，经高温处理的陶瓷传压介质;
（2）内含24目以细的叶蜡石粉和聚乙烯醇。
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