[发明专利]磁光记录的方法、设备及介质无效

专利信息
申请号: 91111738.5 申请日: 1991-12-20
公开(公告)号: CN1023264C 公开(公告)日: 1993-12-22
发明(设计)人: 大朋子 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G11B11/10 分类号: G11B11/10
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 杨国旭
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 记录 方法 设备 介质
【权利要求书】:

1、一种直接改写的方法,这种方法使用了一种磁光记录介质,该介质具有两层居里温度几乎相同、而其中只有一层是无补偿温度的富稀土(RE)层的交换耦合的双层的稀土一过渡金属(RE-TM)非晶层,这两层直接叠合,或中间夹有一层不妨碍交换耦合的中间层。所述直接改写方法的特征是:

(a)事先将所述两层中的一层沿一个方向磁化;

(b)将所述介质移入致偏场,靠近一个激光源,经磁化的那层离该激光源比另一层远些;

(c)在记录一种位数据时,向所述介质发射一个其能量能使经磁化的那层的温度仍保持低于它的居里温度、而使另一层的温度接近或高于它的居里温度的激光脉冲;

(d)在记录另一种位数据时,向所述介质发射一个其能量能使这两层的温度都接近或高于它们的居里温度的激光脉冲。

2、一种直接改写方法,使用如下磁光记录介质:

(ⅰ)这种介质具有两层居里温度几乎相同,而其中只有一层是无补偿温度的富稀土(RE)层的交换耦合稀土-过渡金属(RE-TM)非晶层,这两层直接叠合,或中间夹有一层不妨碍交换耦合的中间层,

(ⅱ)所述两层中的一层预先已沿一个方向磁化,

这种直接改写方法的特征是:

(a)将所述介质移入致偏场,靠近一个激光源,经磁化的那层离该激光源比另一层远些;

(b)在记录一种位数据时,向所述介质发射一个其能量能使经磁化的那层的温度仍保持低于它的居里温度、而使另一层的温度接近或高于它的居里温度的激光脉冲;

(c)在记录另一种位数据时,向所述介质发射一个其能量能使这两层的温度都接近或高于它们的居里温度的激光脉冲。

3、一种按权利要求1或2所提出的方法,其特征是:所述的两层中,一层是富过渡金属(TM)层,而另一层是无补偿温度的富稀土(RE)层。

4、一种按权利要求1或2所提出的方法,其特征是:所述的两层中,一层是有一个补偿温度的富稀土(RE)层,而另一层是无补偿温度的富稀土(RE)层。

5、一种按权利要求1或2所提出的方法,其特征是:在所述记录一种位数据的那一步骤中,发射的是一个能在所述两层中产生显著温度梯度的短脉冲。

6、一种按权利要求1或2所提出的方法,其特征是:在所述记录另一种位数据的那一步骤中,发射的是一个能在所述两层中不产生显著温度梯度的长脉冲。

7、一种能在一种磁光记录介质上直接改写数据的磁光设备,这种介质具有两层居里温度几乎相同、而其中只有一层是无补偿温度的富稀土(RE)层的交换耦合稀土-过渡金属(RE-TM)非晶层,这两层直接叠合,或者中间夹有一层不妨碍交换耦合的中间层,所述磁光设备的特征是该设备包括:

(a)将所述两层中的一层预先沿一个方向磁化的装置;

(b)一个能发射激光脉冲的能源;

(c)产生致偏磁场的装置;

(d)使所述介质进入偏磁场,朝所述激光源运动的装置,经磁化的那层离该激光源比另一层远些;

(e)根据位数据信号切换从所述激光源发射的激光脉冲的装置,使得该脉冲或是一个能使经磁化那层的温度仍保持低于它的居里温度、而使另一层的温度接近或高于它的居里温度的第一脉冲,或是一个能使这两层的温度都接近或高于它们的居里温度的第二脉冲。

8、一种能在如下介质上直接改写数据的磁光设备:

(ⅰ)这种介质具有两层居里温度几乎相同,而其中只有一层是无补偿温度的富稀土(RE)层的交换耦合稀土-过渡金属(RE-TM)非晶层,这两层直接叠合,或中间夹间一层不妨碍交换耦合的中间层,

(ⅱ)所述两层中的一层预先已沿一个方向磁化,

这种直接改写方法的特征是:

(ⅰ)(a)一个能发射激光脉冲的激光源;

(b)产生致偏磁场的装置;

(c)使所述介质进入致偏磁场,朝所述激光源运动的装置,经磁化的那层离该激光源比另一层远些;

(d)根据位数据信号切换从所述激光源发射的激光脉冲的装置,使得该脉冲或是一个能使经磁化那层的温度仍保持低于它的居里温度、而使另一层的温度接近或高于它的居里温度的第一脉冲,或是一个能使这两层的温度都接近或高于它们的居里温度的第二脉冲。

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