[发明专利]磁光记录的方法、设备及介质

说明书

本发明关于能直接改写的磁光记录的方法、设备和介质。

在磁光记录中，已经推出了各种直接改写的方法来改善数据率。典型的有：使用双重涂层膜片的光调制法，该方法在日本公开的未审查的专利申请（JA    PUPA）62-175948中已经披露。

该项申请的内容也由马祖莫托等人在题为“光功率调制对双重涂层的磁光介质的直接改写”（Matsumoto    et    al.“Direct    Qoerite    by    Light    Power    Modulation    on    Magneto-Optical    Double-Layered    Media”Digest    of    53rd    Semina，the    Magnetics    Society    of    Japan    1987，P.87）的论文中作了报导。

在这种方法中所使用的记录介质有一层记录层，它由二层（一层为存储层，一层为基准层）交换耦合的（exchange-coupled）层组成。利用这二层在矫顽磁力温度特性上的差异来进行改写。图1示出了这两层的磁特性，图2示出了改写过程。

如图1所示，由于适当的控制了这两层的组成，在室温（Tamb1）下，基准层的矫顽磁力（Hr2）比存储层的矫顽磁力（Hr1）小，而基准层的居里温度（Tc2）却比存储层的居里温度（Tc1）高。由图2可见，这种方法的特征之一是：在将数据记录到存储层以前要加一个初始化磁场和一个用来记录的致偏磁场。致偏磁场和初始化磁场的方法反向平行。致偏场的值Hb设置得比较小，使得在L处理中保证基准层的磁化不被反相，这在下面还要论及。另一方面，初始化场的值Hini设置成大于Hr2，但小于Hr1。结果，只使基准层的磁化方向与Hini平行（图中为朝下），而记录在存储层中的数据并不受Hini的影响。

为了记录数据，要根据所要录取的位数据（bit    data）进行H处理或L处理。在L处理中，发射出一个低功率的激光，使得存储层温度TmL满足Tc1＜TmL＜Tc2。此时，基准层的磁化不会被反相。因此在冷却过程中，由于与基准层发生交换耦合，就确定了存储层的磁化方向。这里，所谓“交换耦合”是指稀土金属（RE）和过渡金属（TM）原子的粒界网状组织磁化会分别与那些即使不在一个层内的类似原子的粒界网状组织磁化列成直线的一种现象。因此，根据这二层组成成分的不同，由于一层在另一层冷却过程中所产生的交换耦合的作用，使得这二层的磁化方向或者平行，或者反向平行。图2所示是交换耦合使二层的磁化方向成为平行的情况。

在H处理时，激光源辐射出高功率的激光脉冲束，使得存储层的温度TmH高于Tc2。结果，在冷却过程中，首先基准层在致偏场的方向上（图中为向下）得到磁化。也就是说，基准层的磁化方向被反转了。当记录层温度降低时，由于与基准层发生交换耦合，就确定了存储层的磁化方向。因为基准层的磁化方向已经与L处理时的磁化方向相反，因此存储层的磁化方向也与L处理时的磁化方向相反。

如上所述，日本PUPA62-175948所提出的这种方法除了在记录期间要加一个外磁场（致偏磁场）外，还需要另一个外磁场（初始化磁场），以使在记录（L处理或H处理）前对基准层进行初始化。这使设备较为复杂。上述方法还有一个问题，由于很强的初始化磁场的作用，记录在存储层内的数据会有丢失。此外，这种方法对居里温度和各层的矫顽磁力要求很严，使得在制备介质的材料的选择没有多少余地，材料的成分也要精确加以控制。