[实用新型]消除半导体压降和漏电流装置

权利要求书

1、消除半导体压降和漏电流装置，其特征在于：按钮常分开关10动合触点11、12使直流电磁线圈6工作，接触器2的动触点3导通静触点4、5，使电磁线圈23有工作电压，先由动触点17导通静触点18、19的控制极G触发电流，使开关元件31T₁T₂导通，负载24有工作电压，二极管8提供直流电磁线圈6的工作电流后由动触点20导通并联在静触点21、22开关元件31的T₁T₂极消除开关元件31输出端压降。按钮常合开关13动断触点14、15，使电磁线圈23无电流通过，先由动触点20关断静触点21、22，后由动触点17关断静触点18、19的触发电流，阻断开关元件31T₁T₂电流，负载24无工作电压，直流电磁线圈6无工作电压，动触点3关断静触点4、5，消除半导体开关电器27输出端漏电流。

2、按权利要求1所述的装置其特征在于：直流电磁线圈6的二端串联二极管8并联在负载24两端，二极管8、9同极连接在直流电磁线圈6。

3、按权利要求1所述的装置其特征在于：动触点20与静触点21、22的开距最佳4～10mm，大于动触点17与静触点18、19的最佳开距1～3mm。

4、按权利要求1所述的装置其特征在于：接触器2、16的多个动触点2，17、20及对应的静触点4、5，18、19、21、22可以组合多相消除半导体压降和漏电流装置。