[发明专利]弧源-多离子束材料表面改性技术

权利要求书

1、一种弧源一多离子束材料表面改性技术是在由真空室(1)、弧源(2)、离子束注入源(9)、离子束溅射源(6)、工作台(3)、工件负高压电源(4)、靶台(8)等组成的设备装置中实现的，其技术主要特征是：

以弧源(2)、离子束注入源(9)、离子束溅射源(6)、工件负高压电源(4)作为弧源一多离子束材料表面改性技术系统的供电装置，产生金属原子束及气体离子束；工件(5)加上负高压电场吸引气体离子束。

2、根据权利要求1所述，弧源-多离子束材料表面改性技术其特征在于：

离子束注入源（9）能量10-100kev、束流2-25mA;离子束溅射源（6）能量1-6kev、束流30-250mA;弧源（2）电流10-100A、电压10-100V;工件负高压电源（4）DCⅠ电压0-1000V、电流0-60A，DCⅡ电压300-5000V、电流0-6A。

3、根据权利要求1所述，弧源-多离子束材料表面改性技术其特征在于：

离子束注入源（9）、离子束溅射源（6）、弧源（2）可以同时工作，工件（5）加上负高压电场吸引离子束，有利于全方位注入及沉积速率提高;可形成2～4μm过渡层，提高改性层附着性;一机可以完成装饰离子镀、功能涂层离子镀、离子束混合、离子注入等工艺。

4、根据权利要求1所述，弧源-多离子束材料表面改性技术其特征在于：

离子束注入源（9）通入氮气、碳氢化物等反应气体，弧源（2）及离子束溅射源（6）可以采用多种金属靶材（7）产生多种金属原子束（如Ti、Zr、Nb……）在工件（5）表面上形成单一或多种，单层或多层的金属间化合物如氮化物、碳化物、氮-碳化物。