[发明专利]弧源-多离子束材料表面改性技术无效
申请号: | 92100416.8 | 申请日: | 1992-01-21 |
公开(公告)号: | CN1074715A | 公开(公告)日: | 1993-07-28 |
发明(设计)人: | 陈宝清 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C23C14/22 | 分类号: | C23C14/22;H01J37/00 |
代理公司: | 大连理工大学专利事务所 | 代理人: | 侯明远 |
地址: | 11602*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弧源 离子束 材料 表面 改性 技术 | ||
本发明属于材料表面改性方法,特别适用于金属材料表面改性,简称Arc-MIB技术。
在现有的技术中,材料表面改性方法通常采用离子镀、离子束混合、离子注入等技术,但由于改性层薄,沉积速率低,与基体间过渡层窄,因此使用范围受到限制,且设备造价高,用户投资大。
本发明的目的是提供一种弧源-多离子束材料表面改性技术,这种技术可使改性层与基体间没有明显界面,有较宽的过渡层(2~4μm),附着性好,提高抗冲击载荷及抗疲劳能力;离化效果好,沉积速率快,可形成单层或多层的薄膜材料;一台设备上可以完成装饰离子镀、功能涂层离子镀、离子束混合、离子注入等项功能。使应用范围扩大,设备造价降低。
本发明的具体内容如下:
本发明的原理:
真空室(1)内工件(5)放在工作台(3)需转动和水冷,从弧源(2)喷射出金属原子如Ti、Cr、Zr、Nb……可用Me表示,沉积到工件(5)表面上,与通入真空室(1)内反应气体如N2、CH4……离子化后的离子如N+、C+……用A+表示相互作用形成TiN、TiC、TiO2、ZrN、BN等用MeA表示。在沉积过程中,工件(5)加上负高压电。可以在工件表面形成装饰离子镀涂层如金黄色TiN、银白色TiC等,或功能性离子镀涂层如超硬TiN、TiC、BN等。
当离子束溅射源(6)通入氩气(Ar),形成氩离子束(ΣAr+)射到靶台(8)上,从靶材(7)上溅射金属原子束如Ti、Cr、Nb等沉积到工件(5)表面上,同时,离子束注入源(9)通入气体如N2、CH4、O2等离子化后射出离子束如N+、C+、O+等用A+表示,同步射到工件表面上,进行沉积和注入并相互作用,在工件次表层,表层形成具有超硬或其他功能的金属间化合物。
弧源(2)、离子束溅射源(6)可以同时工作,更多提供沉积金属原子提高沉积形膜速率进行离子束混合。
离子束注入源(9)通入N2、CH4、O2等经离子化成各类离子束如N+、C+、O+等注入到工件(5)表面进行材料表面改性,提高材料的耐磨性及耐蚀性等。
工件(5)带负高压电(4)金属原子离化率提高(DCⅠ工作),进一步吸引从离子束注入源(9)射出的离子束,完成全方位注入,提高沉积涂层的绕镀性(DCⅡ工作)。
本发明的工艺过程
1.工件(5)表面须严格超声波清洗,去油污除水,装进真空室(1)内,抽真空,真空度达到10-4pa。
2.溅射清洗,真空室(1)通入氩气(Ar),真空度降至5pa-10-1pa,工件(5)加上负高压电-1000~-3000V,溅射清洗时间15~20min;再抽真空,真空度达到10-4pa。
3.装饰离子镀
(1).真空室(1)通入氩气(Ar)及氮气(N2)真空度降至2.5~4pa;
(2).弧源(2)通电工作,弧源(2)电流40-60A;工件(5)加负电压500-150V,工件(5)温度可达250℃,沉积时间1~2小时;
(3).工件(5)表面沉积TiN呈金黄色,TiC呈银白色。
4.功能涂层离子镀
(1).真空室(1)通入氩气(Ar)氮气(N2)真空度降至2.5~4pa;
(2).弧源(2)通电工作,弧源(2)电流40-60A;工件(5)加负电压500-150V,工件(5)温度可达400℃,沉积时间1~2小时;
(3).工件(5)表面沉积TiN其硬度为Hv1800~2400,TiC其硬度Hv2800~3400。
5.离子束混合
(1).真空室(1)抽真空,真空度达到10-4pa;
(2).离子束注入源(9)工作通入氮气(N2),真空度降至(1~6)×10-3pa;
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