[发明专利]半导体存储器件应力状态的自动测试设备无效

专利信息
申请号: 92100721.3 申请日: 1992-01-31
公开(公告)号: CN1069821A 公开(公告)日: 1993-03-10
发明(设计)人: 韩真晚;李钟勋 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/34 分类号: G11C11/34;G01L1/16
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 肖掬昌,王忠忠
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 器件 应力 状态 自动 测试 设备
【权利要求书】:

1、一种应用外电源电压和内源电压来测试半导体存储器件应力状态的电路,其特征在于,它包括:

一个第一电压节点,其第一电位随所述内电源电压而变化;

一个第二电压节点,其第二电位随所述外电源电压而变化;

一个差分放大器连接以接收所述第一和第二电压节点的所述第一和第二电位,且有一个输出节点;

一个第一绝缘栅极场效应晶体管,其栅极接所述差分放大器的所述输出节点;

一个充电节点,与所述第一绝缘栅极场效应晶体管沟道的一端连接,且具有随所述外电源电压而变化的第三电位;和

一个触发节点,与所述第一绝缘栅极场效应晶体管的所述沟道的另一端连接。

2、如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一电位接介于所述内电源电压与地电压之间的第一分压装置的输出端。

3、如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第二电位接介于所述外电源电压与地电压之间的第二分压装置的输出端。

4、如权利要求1所述的电路,其特征在于,它还包括:

一个偏压电路,其一个输入端接所述触发节点;和

一个第二绝缘栅极场效应晶体管,通过其栅极连接以接收所述偏压电路的输出,所述第二绝缘栅极场效应晶体管有一条接在所述外电源电压与所述内电源电压之间的沟道。

5、一种应用外电源电压和内电源电压以测试半导体存储器件应力状态的电路,其特征在于,它包括:

一个差分放大器,连接以接收所述外电源电压和所述内电源电压;

一个电平触发电路,连接以接收所述差分放大器的输出;

一个偏压电路,连接以接收所述电平触发电路的输出;

一个驱动绝缘栅极场效应晶体管,通过其栅极接收所述偏压电路的输出,所述驱动绝缘栅极场效应晶体管有一条连接在所述外电源电压与所述内电源电压之间的沟道。

6、如权利要求5所述的电路,其特征在于,所述电平触发电路包括:

一个绝缘栅极场效应晶体管有一连接到所述差分放大器输出端的栅极,且具有一条沟道,该沟道的一端接所述外电源电压;和

一个触发节点,被连接到所述绝缘栅极场效应晶体管所述沟道的另一端,且被耦合到所述偏压电路的输入端。

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