[发明专利]磁性记录介质及其制造方法

权利要求书

1、一种磁性记录介质包括：一层基底和形成于其上的磁性层，其特征为，所述的磁性层由混合一种磁性物质和一种非磁性化合物所组成，所述的磁性物质为以Co为基的，以铁为基的，或以铁钴为基的磁性物质，并且所述的非磁性化合物是从氧化物和氮化物组成的一组中选出的。

2、如权利要求1的磁性记录介质，其特征为，在所述的磁性物质和非磁性化合物混合成的总容积中所述非磁性化合物的容积百分数为2%到30%。

3、如权利要求1的磁性记录介质，其特征为，所述磁性层是利用蒸发和/或溅射来同时地淀积磁性物质和非磁性化合物形成的。

4、如权利要求1的磁性记录介质，其特征为，所述磁性层直接形成在所述基底上。

5、如权利要求1的磁性记录介质，其特征为，在所述磁性层上形成有一保护层。

6、如权利要求1的磁性记录介质，其特征为，所述的磁性物质是从CoNiCr、CoNiPt、CoPtCr和CoCrTa组成的一组中选出的三元合金。

7、如权利要求1的磁性记录介质，其特征为，所述非磁性化合物包含至少一种化合物，它是从氧化硅、氧化锆、氧化钽、氮化硅、氮化硼、氮化钛、以及氮化铝组成的一组中选出的。

8、如权利要求6的磁性记录介质，其特征为，所述以钴为基的三元磁性合金的组合物由下式表示：

Co（1-X-Y）Ni（X）Cr（Y）

式中0.2≤X≤0.4以及0.05≤Y≤0.1。

9、如权利要求6的磁性记录介质，其特征为，所述以钴为基的三元磁性合金的组合物由下式表示：

Co（1-X-Y）Ni（X）Pt（Y）

式中，0.2≤X≤0.4，以及0.01≤Y≤0.2。

10、如权利要求6的磁性记录介质，其特征为，所述以钴为基的三元磁性合金的组合物由下式表示：

Co（1-X-Y）Cr（X）Pt（Y）

式中，0.1≤X≤0.3，以及0.01≤Y≤0.2。

11、如权利要求6的磁性记录介质，其特征为，所述以钴为基的三元磁性合金的组合物由下式表示：

Co（1-X-Y）Cr（X）Ta（Y）

式中，0.1≤X≤0.3，以及0.01≤Y≤0.05。

12、制造一种磁性记录介质的一种方法，其特征为下述步骤：

a）设置一层基底，以及

b）形成一层磁性层，它由利用蒸发和/或溅射来实现同时地淀积一种磁性物质和非磁性物质化合物到所述基底上来构成。

13、如权利要求12所述的制造一种磁性记录介质的方法，其特征为，在所述混合的磁性物质和非磁性化合物的整个体积中，所述非磁性化合物的容积百分比取为不小于2%和不大于30%。