[发明专利]磁性记录介质及其制造方法

说明书

本发明涉及用于磁性记录装置之类的一种磁性记录介质，以及它的制造方法。

利用一种铁磁材料，例如以钴为基的磁性合金构成被称为连续介质的金属膜介质近来已用作磁记录介质。但是，近来所用的这种磁性材料如果形成薄膜它本身不具有适合于纵向记录用的平面中的磁性异向。因此，在非磁性的基底上设置一层非磁性底层，并在该底层上设置一磁性层，以便获得平面中的磁性异向。但是，在这些磁性介质中该磁性层的特性随着膜的构形和非磁性底层的状态而变化，因此，必须象制备该底层一样细心地制造该磁性层，从而使制造该底层膜的过程控制复杂化。

在另一方面，众所周知，在磁性的细粒之间互变耦合会增加磁化过度的宽度并造成介质噪声，而为了提高记录密度，抑制介质噪声是重要的。JA（日本）PUPA（公开专利）1-232516和JAPUPA1-232517公开了降低介质噪声的技术，其中，利用增加一种或多种元素（C，P，Bi等）到以钴为基的磁性三元合金中制备成一种四元或较高阶的新合金，并且以所获得的合金在基底上制出一层膜。但是，由于在磁性合金颗粒之间的耦合保留在该磁性层中，所以介质噪声未受到足够的抑制。此外，所得到的矫顽磁力或许小于1000奥斯特，而且，铬底层仍然是需要的。

因此，本发明的一个目的在于提供一种具有低介质噪声和高矫顽磁性且适用于纵向记录的磁性记录介质。

本发明的另一目的在于提供一种磁性记录介质，它利用一种钴基、铁基或铁钴为基的磁性合金作为其磁性层，并且具有适于纵向磁性记录的磁特性，而不用一层底层。

按照本发明的一种磁性记录介质，它包括一层基底和一层磁性层，其特征在于，该磁性层是由一种磁性物质和一种非磁性化合物混合形成的，该磁性物质是钴基、铁基或铁钴为基的物质;以及该非磁性化合物是从一组氧化物和氮化物中选择的。

以钴为基的磁性物质的例子为CoNiCr，CoNipt，CoCrpt和CoCrTa。非磁性化合物的例子为氧化硅、氧化锆、氧化钽、氮化硅、氮化硼、氮化钛和氮化铝，非磁性化合物在室温下应具有合适的硬度，并必须适合于薄膜处理过程，例如，溅射、蒸汽淀积或束流蒸发（beam    evaporation）。

如上所述磁性合金复合成的单膜的磁性异向不能在平面方向中很好地生成，所以一般是设置一层非磁性底层，以便取得磁性层的平面中的磁异向性。然而，在本发明中，非磁性化合物和磁性物质是同时地淀积到磁性层，所以，不熔于磁性物质中的非磁性化合物保存在该磁性层中，借助于此而使该磁性层的磁性异向的方向在没有一层底层的情况下在平行于介质表面的方向中发生倾斜。这种倾斜假定是由改变着磁性合金的晶体生成指向的非磁性化合物所造成的，并产生一种适于在平面中磁性记录的异向。还须指出，非磁性化合物导致高的磁矫顽力，并且由于它的隔磁和使磁合金颗粒细化所以降低了介质噪声。

磁特性、读/写特性以及可靠性的全面估价指出，上述以钴为基的磁性合金的适当组合物可由下述基本公式表示：

Co（1-X-Y）Ni（X）Cr（Y）

式中：X＝0.2到0.4，以及，Y＝0.05到0.1

Co（1-X-Y）Ni（X）pt（Y）

式中：X＝0.2到0.4，以及，Y＝0.01到0.2

Co（1-X-Y）Cr（X）pt（Y）

式中：X＝0.1到0.3，以及，Y＝0.01到0.2

Co（1-X-Y）Cr（X）Ta（Y）

式中：X＝0.1到0.3，以及，Y＝0.01到0.05

（参见A.Terada：日本电磁世界月报，第13卷No.3，493，（1989））。

在磁性合金和非磁性化合物组成的整体容积中非磁性化合物的容积百分比（以下称为混合容积百分比）最好不低于约2%且不大于约30%，约5%时效果最佳。

甚至若钴基合金是二元（例如，CoNi、Copd、CoCr和Copt）的、四元（例如，CoNiCrV和CoNiCrCu）的或更高阶的，在钴基合金膜中颗粒间的耦合状态基本上与三元合金者相同。因此，期望的一种非磁性化合物与这些合金混合造成相同的效果。因为同样的原因，甚至当与非磁性化合物混合的该磁性物质代替以铁基合金（如r-Fe203）、铁基合金（如FeNi）或铁钴基合金（例如FeCoCr）则期望基本上取得同样效果。

蒸发和/或溅射可用作同时地淀积非金属化合物和磁性物质的方法，因为它符合本发明实现在磁性层中混合它们的目的。

现参照下述附图解释本发明的实施例如下。

图1是本发明的磁性记录介质的横剖视图;