[发明专利]金属氧化物半导体混成静态感应半导体闸流管

权利要求书

1．一种MOS混成静态感应闸流管，其特征在于，它包括：

一个SI闸流管单元，该单元带有一个具有高杂质浓度的第一导电性类型的阴极区，还带有具有高杂质浓度的第二导电性类型的阳极区和栅极区以及具有低杂质浓度的第一导电类型的沟道区；

一个MOS晶体管，该晶体管具有一个与所述阴极区相同的漏极区，一个在所述沟道区附近形成的第二导电类型的阱，在所述阱中形成具有高杂质浓度的第一导电类型的源极区，一个在所述源极区和漏极区之间所述井区表面形成的栅极绝缘膜，和在所述栅极绝缘膜上形成的MOS栅极；

一个稳压元件，它带有一具有高杂质浓度的第二导电类型的第一半导体区，和一具有高杂质浓度的第一导电类型的第二半导体区；

其中所述第一半导体区和所述源极区被第一导线层相连，而所述第二半导体区和所述栅极被第二导线层相连，所述第二导线层包括对所述栅极区的基底的连接；

其中所述SI闸流管单元、所述MOS晶体管和所述稳压元件被合并集成在单一芯片上；

其中控制电压被加到所述MOS栅极上，故所述阳极和阴极区之间的主电流流动是受控的。

2．如权利要求1的MOS混成静态感应闸流管，其特征在于：所述SI闸流管单元至少两个相邻的栅极区及所述阴极区是向着相邻栅极区之间一侧偏移的。

3．如权利要求1的MOS混成静态感应闸流管，其特征在于：所述SI闸流管单元至少两个相邻的栅极区及所述阴极区安置在相邻栅极区之间的中心，且所述MOS晶体管分别安置在所述阴极区的两侧。

4．如权利要求3的MOS混成静态感应闸流管，其特征在于：在所述源极区和阴极区之间形成一个槽，且在所述槽内淀积一个氧化膜。

5．一种MOS混成静态感应闸流管，其特征在于，它包括：一个SI闸流管单元，该单元带有一个具有高杂质浓度的第一导电性类型的阴极区，还带有具有高杂质浓度的第二导电性类型的阳极区和栅极区以及具有低杂质浓度的第一导电类型的沟道区；

一个MOS晶体管，该晶体管具有至少一个与所述阴极区相同的漏极区，一个在所述沟道区附近形成的第二导电类型的基极，在所述基极上形成具有高杂质浓度的第一导电类型的源极区，一个在所述源极区和漏极区之间所述基极表面形成的栅极绝缘膜，和靠近所述栅极绝缘膜形成的MOS栅极；及

一个稳压元件，它带有一具有高杂质浓度的第二导电类型的第一半导体区，和一具有高杂质浓度的第一导电类型的第二半导体区；

其中所述第一半导体区和所述源极区被第一导线层相连，而所述第二半导体区和所述栅极区被第二导线层相连，所述第二导线层包括对所述栅极区相连的基底连接；

其中所述闸流管单元、所述MOS晶体管和所述稳压元件被合并集成在单一芯片上。

6．如权利要求5的MOS混成静态感应闸流管，其特征在于：所述SI闸流管单元至少有两个相邻的栅极区和所述阴极区安置在相邻栅极区之间的中心，且所述MOS晶体管分别安置在所述阴极区的两侧。