[发明专利]提高半导体存贮器的操作速度的电路无效

专利信息
申请号: 92113235.2 申请日: 1992-11-19
公开(公告)号: CN1072528A 公开(公告)日: 1993-05-26
发明(设计)人: 李炯坤;张喆雄;赵星熙 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C7/00 分类号: G11C7/00;G11C8/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴增勇,程天正
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 提高 半导体 存贮器 操作 速度 电路
【权利要求书】:

1、一个带有地址转换探测线路的半导体存贮器,包括:

接收一个被缓冲的外部输入信号的一个输入信号探测装置,用以探测一个为产生探测信号的所需信号;

一个接收所述输入信号探测装置的所述探测信号的控制装置,用以产生一个控制信号以控制一个读出放大器;和

一个接收所述输入信号探测装置和控制装置的输出信号的补偿信号发生装置,用以产生一个补偿信号,以补偿一对二进制位线或数据输入/输出线路;

借此,所述二进制位线或输入/输出线路对,在所述读出放大器不工作期间总是被补偿。

2、如权利要求1所述的半导体存贮器,其特征在于:所述二进制位线对和所述数据输入/输出线路对被所述补偿信号所补偿。

3、如权利要求1所述的半导体存贮器,其特征在于所述输入信号探测装置包括,

一个第一延迟装置,用以产生一个被延迟的反相输入信号;和

用以产生具有等于所述输入信号逻辑电平的所述探测信号的装置。

4、如权利要求1或2所述的半导体存贮器,其特征在于:所述的第一延迟装置包含奇数个反相器。

5、如权利要求1或2的半导体存贮器,其特征在于所述补偿信号发生装置包括:

一个与非门,接收所述输入信号和所述反向输入信号;和

一个反相器,用以对所述与非门的输出进行反相。

6、如权利要求1所述的半导体存贮器,其特征在于所述控制装置包括:

一个对所述探测信号进行反相的反相器;

一个第二延迟装置,用以延迟反向后探测信号,以便在从存贮单元读出或对其写入一个数据期间,禁止所述补偿信号发生器的输出,和

一个与非门,用以接收所述第二延迟装置和所述反向后探测信号的输出,产生具有与所述探测信号相等逻辑电平的所述控制信号。

7、如权利要求6所述的半导体存贮器,其特征在于所述第二延迟装置包含偶数个反相器。

8、如权利要求1所述的半导体存贮器,其特征在于:所述补偿信号发生装置包括:

一个反相装置,用以对所述探测信号进行反相;和

一个与非门,接收所述反相装置的反相后探测信号和所述控制信号以产生具有一个与所述控制信号互补的逻辑电平的所述补偿信号。

9、有一个地址转换探测电路的半导体存贮器,包括:

一个接收被缓冲的外部输入信号的输入信号探测装置,用以产生一个具有与所述输入信号的逻辑电平相等逻辑电平的探测信号;

一个接收所述输入信号探测装置的所述探测信号的控制装置,用以产生具有一个相当于上述探测信号的逻辑电平的控制信号以控制读出放大器,和

一个接收所述探测信号和所述控制信号的补偿信号发生装置,用以产生一具有与所述控制信号互补的逻辑电平的补偿信号,以补偿一对二进制位线和/或输入/输出线路;及

从而使所述二进制位线对和/或数据输入/输出线路在进行数据转换操作以前通过所述读出放大器总是被补偿。

10、具有二进制位线外围电路的半导体存贮器,包括:

接收被缓冲的外部输入信号的输入信号探测装置,用以产生具有与所述输入信号逻辑电平相等逻辑电平的探测信号;

接收所述输入信号探测装置的所述探测信号的控制装置,用以产生其逻辑电平等于所述探测信号的控制信号,以控制一读出放大器;

接收所述探测信号和所述控制信号的补偿信号发生装置,用以产生具有与所述控制信号互补的逻辑电平的补偿信号;和

补偿装置,用于接收所述补偿信号以对连接所述读出放大器和存贮数组块的所述二进制位线和/或数据输入/输出线的补偿进行控制;以及

借此,在对所述存贮数组块的数据执行转换以前,所述二进制位线对和/或数据输入/输出线总是被补偿。

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