[实用新型]耐高压隔离式霍尔效应位移传感器无效
| 申请号： | 92238485.1 | 申请日： | 1992-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN2141888Y | 公开（公告）日： | 1993-09-08 |
| 发明（设计）人： | 赵国军;杨华勇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01B7/02 | 分类号： | G01B7/02 |
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 3100*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 隔离 霍尔 效应 位移 传感器 | ||
【权利要求书】：
1、一种耐高压隔离式霍尔效应位移传感器，本实用新型的特征是，它包括装在非导磁隔离套[2]内的导磁体滑动芯棒[1]，在非导磁体外壳[4]内的隔离套[2]上装有二块导磁体[6]，在二块导磁体[6]下端形成的间隙内，左、右分别装有磁钢[5]和霍尔元件、放大器电路。
2、根据权利要求1所述的霍尔效应位移传感器，其特征是，它包括霍尔元件7′和由电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、温度补偿电阻R7、增益调节电位器RP1、电阻R8、R9、零位调节电位器RP2、集成放大器A2、积分电容C1组成的放大器电路〔9〕。
3、根据权利要求1所述的霍尔效应位移传感器，其特征是，它包括霍尔元件7′、7″、经电阻R10、R11、R12、R13、R14、R15、温度补偿电阻R16、增益调节电位器RP3、集成放大器A1、积分电容C2组成的前置放大器电路〔8〕，并与放大器电路〔9〕连接。
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