[发明专利]故障随机存取存贮器的再利用方法无效
申请号: | 93109336.8 | 申请日: | 1993-08-05 |
公开(公告)号: | CN1033112C | 公开(公告)日: | 1996-10-23 |
发明(设计)人: | 沈明东 | 申请(专利权)人: | 沈明东 |
主分类号: | G11C21/00 | 分类号: | G11C21/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 范本国 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 故障 随机存取 存贮器 再利用 方法 | ||
1.一种故障随机存取存贮器的再利用方法,可将两组分别损坏在左半区域及右半区域的存贮器重新组合,成为可再被使用的存贮器,其特征在于其包括下列步骤:
首先,提供一电子线路以分别找寻出损坏在左半侧地址区域及损坏在右半侧地址区域的RAM,此电子线路包括:
两个开关装置,此两开关装置的控制端可控制开关装置输入、输出端的导通与否,其中一个可被高电位触发导通,另一个则可被低电位触发导通,开关的输出端接有RAM,输入端接有可使能(ENABLE)此RAM的信号,控制端则接有此RAM的最高位地址信号;
当在可被高电位触发导通的开关串接一良好的RAM,而在可被低电位触发导通的开关中接一损坏的RAM,而此损坏的RAM仍能处理信号的读取动作时,则此损坏的RAM损坏在右半侧;
当在可被低电位触发导通的开关串接一良好的RAM,而在可被高电位触发导通的开关串接一损坏的RAM,而此损坏的RAM仍能处理信号的读取动作时,是此损坏的RA则损坏在左半侧;
其次,再提供两个分别可被高电位及低电位触发导通的开关电路,其中可被高电位触发导通的开关的输出端接有内部损坏在左侧的RAM,而可被低电位触发导通的开关的输出端则接有内部损坏在右侧的RAM,此两个开关的输入端则接有可使能(ENABLE)此RAM的信号,两个开关的控制端则接有此RAM的最高位地址信号;
通过此方法,RAM的最高位地址信号就会使开关电路依次通断,因此可依次使能两组RAM,使之成为可以再利用的一组RAM。
2.如权利要求1所述的故障随机存取存贮器的再利用方法,其特征是:RAM的再利用,是动态随机存取存贮器(DRAM)的再利用。
3.如权利要求2所述的故障随机存取动态随机存取存贮器的再利用方法,其特征是:最高位地址信号是视DRAM的容量而定,当DRAM为1M时,有地址信号A0至A9,则其最高位地址信号是A9;当DRAM为4M时,为A10;当DRAM为16时,为A11。
4.如权利要求3所述的故障随机存取存贮器的再利用方法,其特征是:开关电路的输入端接有CAS信号。
5.如权利要求4所述的故障随机存取存贮器的再利用方法,其特征是:提供开关电路的利用,是三态门的利用。
6.如权利要求5所述的故障随机存取存贮器的再利用方法,其特征是:开关电路的输出端所接的内部损坏的RAM的个数,是视开关电路的规格而定。
7.如权利要求6所述的故障随机存取存贮器的再利用方法,其特征是:可决定开关电路作开关动作的最高位地址信号,当此地址信号为低电位时,可使能其中一组DRAM,当此地址信号为高电位时,又可使能另一组DRAM。
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