[发明专利]故障随机存取存贮器的再利用方法

说明书

本发明涉及一种故障存贮器的再利用方法，特别是涉及一种故障随机存取存贮器的再利用方法。

一般使用在电脑上的动态随机存取存贮器(DYNAMICRAM，简称DRAM)，主要是用来储存或读取多位二进制数据信号，此DRAM大多接在印刷电路板上，称为SIMM(SINGLE IN-LINE MEMORY MODULE)，简称DRAM MODULE，它包括有组成一个字长(即8位)的数据线的几个DRAM IC以及一1位的奇偶校验功能的DRAM IC，在其它结构也有不同组合，而其动作原理皆不外乎通过电压、控制信号及二进位数据信号的应用，以达到储存或读取多位二进制数据信号的目的。

DRAM在使用上虽有其便利性，但是，DRAM IC在制造过程中却经常有损坏的次品出现，而观察众多DRAM IC损坏的情况，经测试研究后，除了少数是损坏较严重外，其余绝大多数(约占94％)仅是小区域的损坏，甚至仅是其中一个地址的一个位的数据损坏而已，尚因此而报废整个DRAM IC，实为可惜。

本发明的主要目的，是在于提供一种故障随机存取存贮器的再利用方法，该方法可将两组已损坏而不能使用的动态随机存取存贮器IC整合成一组完好可使用的动态随机存取存贮器IC。

为达到上述目的，本发明故障随机存取存贮器的再利用方法，可将两组损坏在左、右区域的随机存取存贮器重新组合，成为一可再被使用的随机存取存贮器，包括下列步骤：

首先，以两个三态门分别寻找出损坏在左半侧地址区域及损坏在右半侧地址区域的DRAM，其中一个可被高电位触发导通，另一个则可被低电位触发导通，开关的输出端接有DRAM，输入端接有可使能(ENABLE)此DRAM的信号，控制端则接有此DRAM的最高位地址信号；其次，再提供两个与前面相同的分别可被高电位及低电位触发导通的三态门，其中可被高电位触发导通的三态门的输出端接有内部损坏在左侧的DRAM，而可被低电位触发导通的三态门的输出端则接有内部损坏在右侧的DRAM，此两个三态门的输入端则接有可使能(ENABLE)此DRAM的信号，两个开关的控制端则接有此DRAM的最高位地址信号。

下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明：

图1是动态随机存取存贮器在数据被读取时的时序图。

图2是动态随机存取存贮器在数据被写入时的时序图。

图3是动态随机存取存贮器的内部容量划分为四个区域的示意图。

图4是本发明故障随机存取存贮器的再利用方法的一实施例电路图。

图5是本发明故障随机存取存贮器的再利用方法的另一实施例电路图。

首先必需了解的是，DRAM内部的数据之所以会执行读取与写入的动作，完全是由RAS(亦即列地址选择，ROW ADDRESSSELECT)、CAS(亦即行地址选择，COLUMN ADDRESSSELECT)来先决定DRAM内部的一个位置，当此位置被决定之后，很快地就会进行读取与写入的动作。而DRAM一般是RAS信号先出现，以决定一列位置后，再出现一CAS信号以决定一行位置，而此列位置与行位置交错处，就决定DRAM内部的一个位置(二维位置)，因此，只要控制CAS信号的出现，即可控制DRAM的被作读取与写入的动作。

此时可参考图1所示的DRAM的资料被读取时的时序图，表中列出RAS1、CAS2、ADDRESS 3、W4)、OE5及DQ1至DQ4(6)的时序图，其中网状部份表示无所谓(DONT CARE)，列地址信号31、行地址信号32、数据有效(VALID DATA OUT)61，在图中可看出RAS1信号(低电位)首先出现，而且在RAS1信号刚刚出现时，也即RAS1信号由高电位降至低电位时，会对应出一“列地址信号31”；与此相同，当CAS2信号出现时，也会对应出一“行位置信号32”。因而会在DRAM内部对应出一个地址来，执行读取的动作，所以CAS2信号(低电位)一出现，就可使DRAM作读取的动作，也即DRAM被使能(ENABLE)了；同时，只要数据(DATA)尚未被读出或写入以前，CAS(2)跳回H电位时，此DRM即被禁能(DISABLE)了。

请再参考图2所示，这是DRAM在写入数据时的时序图，表中也列出RAS1、CAS2、ADDRESS 3、W4、OE5及DQ1至DQ4，(6)的时序图，其中网状部份表示无所谓(DON T CARE)，数据有效(VALID DATA IN)62，在图中也可看出，数据被写入之时，也就是CAS2的低电位出现之时：因此，CAS2的低电位可用来致能DRAM，使之执行读写的动作。