[发明专利]半导体存贮器的老化起动电路及老化测试方法无效
申请号: | 93109400.3 | 申请日: | 1993-07-31 |
公开(公告)号: | CN1043081C | 公开(公告)日: | 1999-04-21 |
发明(设计)人: | 崔润浩 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G11C29/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 黄向阳,叶恺东 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存贮器 老化 起动 电路 测试 方法 | ||
1.一种半导体存储器件的老化测试方法,该器件具有多个管脚及多条字线,当对半导体器件进行老化测试时,提高字线驱动信号电压,并将该信号施加到各单元晶体管上,
其特征在于,该方法包括如下步骤:
通过将一高于所述器件工作电压的电压加到所述半导体的一个预定管脚上来产生一个老化启动信号;
用一个与第一行地址选通信号同步输入的行地址来选通第一字线;
利用所述老化启动信阻断一字线驱动器的复位操作;
用一个与第二行地址选通信号同步输入的行地址来选通第二字线;及
通过关断所述老化启动信号来关断所述第一和第二字线。
2.根据权利要求1的老化测试方法,其特征在于,所述的预定管脚是一个不加地址信号的管脚。
3.一种半导体存储器件的老化测试方法,该器件具有多个管脚,一个包括第一,第二,第三,直至第n条字线的存储器单元阵列,及多个用于接后一行地址译码信号及一个复位信号的相应的字线驱动器,当对半导体器件进行老化测试时,提高字线驱动信号电压,并将该信号施加到各单元晶体管上,
其特征在于,所述方法包括如下步骤:
通过把一个高于所述器件的工作电压的电压加到所述半导体的一个预定管脚来产生一个老化启动信号;
利用所述老化启动信号阻止一字线驱动器的复位操作;
用与第一行地址选通信号输入同步的一个行地址来选通第一字线;
在所述第一字线选通的同时,用一个与所述第二行地址选通信号输入同步的行地址来选通一个第二字线;
在所述第一和第二字线选通的同时,用一个与所述第三行地址选通信号输入同步的第三行地址来选通一个第三字线;
在保持选通所述选通的字线的同时,用一个相应的行地址和一个继之而来的行地址选通信号来顺序地选通每个递增的字线,包括所述第n条字线;及
继续选通所有所述字线一个预定时间以完成所述老化测试。
4.一种半导体存储器件,它具有多个管脚,和多条各用于接收与一行地址选通信号相同步的一行地址信号的字线驱动器以选通一条给定的字线,及用于接收以以多位所述给定字线的预定电复位信号,当对半导体器件进行老化测试时,提高字线驱动信号电压,并将该信号施加到各单元晶体管上,
其特征在于,所述器件包括:
一个存储单元阵列,该阵列具有多个存储器存贮单元,每个存贮单元包括一个与其中一个所述字线耦合的存储单元晶体管;
一个与所述半导体存储器的第一管脚相连的老化测试电路,用于当一个比所述器件的工作电压的高的电压加到所述第一管脚时,产生第一电压电平的老化启动信号;及
一个字线驱动器复位电路,用来当输入所述预充电复位信号时,复位所述给定字线,所述字线驱动器复位电路还输入一个由所述行地址选通信号和所述老化测试启动信号导来的字线驱动器复位信号,使得所述字线驱动器复位电路在当所述字线驱动器复位信号出现时不复位所述给定字线,这样在所述存储单元阵列中的所有所述存储单元晶体管的老化测试当所述老化测试启动信号产生时可同时进行。
5.根据权利要求4的半导体存储器件,其特征在于,所述的老化启动电路包括:
一个CMOS加载电路它具有一个负载端和一个与电源电压端点相连的控制端,
串连在所述半导体存储器件与所述CMOS负载电路的负载端之间的多个二极管;及
一个用于产生所述老化启动信号的电路,所述电路由所述CMOS负载电路驱动。
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