[发明专利]动态RAM及使用该RAM的信息处理系统

权利要求书

1、一种动态RAM，包括一对互补位线，与所述互补位线对相连的多个动态存储单元，以及与所述互补位线对相连、用于检测所述互补位线对之间的电位差的读出放大器；

其中所述读出放大器包括分别与所述互补位线对相连的一对MOSFET，其中所述动态RAM进一步包括补偿所述MOSFET对之间的阈值差的补偿装置。

2、根据权利要求1的动态RAM，其中所述的互补位线对与至少1，024个动态存储单元相连。

3、根据权利要求1的动态RAM，其中所述MOSFET对包括：

具有源极-漏极通路和栅极的第一导电类型的第一MOSFET，所述源极-漏极通路的一端与所述互补位线对中的一根相连;以及

具有源极-漏极通路和栅极的第二导电类型的第二MOSFET，所述源极-漏极通路的一端与所述互补位线对中的另一根相连;以及

其中所述读出放大器包括：

第一开关MOSFET，用于将所述一根互补位线与所述第二MOSFET的所述栅极相连;

第二开关MOSFET，用于将所述另一根互补位线与所述第一MOSFET的所述栅极相连;

第三开关MOSFET，用于将所述第一MOSFET的所述源极-漏极通路的另一端与所述第一MOSFET的所述栅极相连;

第四开关MOSFET，用于将所述第二MOSFET的所述源极-漏极通路的另一端与所述第二MOSFET的所述栅极相连;

具有源极-漏极通路和栅极的第二导电类型的第三MOSFET，所述源极-漏极通路的一端与所述另一根互补位线相连，所述栅极与所述一根互补位线相连;

具有源极-漏极通路和栅极的第二导电类型的第四MOSFET，所述源极-漏极通路的一端与所述一根互补位线相连，所述栅极与所述另一根互补位线相连;

所述第一导电类型的电源开关MOSFET，与所述第一MOSFET的所述源极-漏极通路的另一端以及与所述第二MOSFET的所述源极-漏极通路的另一端相连，所述第一导电类型的所述电源MOSFET向所述第一MOSFET的所述源极-漏极通路的另一端以及向所述第二MOSFET的所述源极-漏极通路的另一端施加第一电压;

所述第二导电类型的电源开关MOSFET，与所述第三MOSFET的所述源极-漏极通路的另一端以及与所述第四MOSFET的所述源极-漏极通路的另一端相连，所述第二导电类型的所述电源MOSFET向所述第三MOSFET的所述源极-漏极通路的另一端以及向所述第四MOSFET的所述源极-漏极通路的另一端施加第二电压;

与所述第一MOSFET的所述源极-漏极通路的另一端以及与所述第二MOSFET的所述源极-漏极通路的另一端相连的预充电MOSFET，所述预充电MOSFET向所述第一MOSFET的所述源极-漏极通路的另一端以及向所述第二MOSFET的所述源极-漏极通路的另一端施加所述第二电压。

4、根据权利要求3的动态RAM，进一步包括：

用于实现第一周期的装置：该周期中，所述电源开关MOSFET截止，所述预充电MOSFET导通，所述第一和所述第二开关MOSFET截止，以及所述第三和所述第四开关MOSFET导通，以便用预定电压对所述互补位线对进行预充电;

用于实现第二周期装置：该周期中，所述电源开关MOSFET截止，所述预充电MOSFET导通，所述第一和所述第二开关MOSFET导通，所述第三和所述第四开关MOSFET截止，以及与所述互补位线对中的一根相连的所述动态存储器单元中的一个向那根互补位线提供一个读信号;以及

用于实现第三周期装置：该周期中，所述电源开关MOSFET导通，所述预充电MOSFET截止，所述第一和所述第二开关MOSFET导通，以及所述第三和所述第四开关MOSFET截止，以便驱动所述第一和所述第二MOSFET。

5、根据权利要求4的动态RAM，其中所述第一至所述第四开关MOSFET以及所述第一和所述第二MOSFET中的每一个就导电类型来说是N沟道MOSFET，并且其中所述第三和所述第四MOSFET中的每一个就导电类型来说是P沟道MOSFET。