[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，它包含多个字线和多个位线，其特征在于还包括：

多个电流驱动晶体管，它们各有一个发射极、一个收集极和一个基极，其中的发射极与相应的位线相连接而收集极接地；以及

多个由许多存储单元组成的行，这些存储单元串连在相应电流驱动晶体管的基极和地之间，其中每一个存储单元都由根据预定的程序从一个第一存储单元和一个第二存储单元中选出的一个所构成，第一存储单元与相应的字线信号无关而处于“通”，而第二存储单元根据相应的字线信号可在“通”和“断”之间转换。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述第一存储单元由一个耗尽型MOS晶体管组成，而所述第二存储单元由一个增强型MOS晶体管组成。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于还包含：

一个通过它来传输选行信号的选行线；以及

多个选行晶体管，它们各自串接在相应的电流驱动晶体管的基极和相应行的一端之间，而其栅极接所述选行线。

4.一种半导体存储器件，它包含多个字线和多个位线，其特征还包括：

多个由许多串接的存储单元组成的行，每一行有一端接地，其中每个存储单元由根据预定的程序从一个第一存储单元和一个第二存储单元中选出的一个构成，第一存储单元与相应的字线信号无关而处于“通”，而第二存储单元根据相应的字线信号可在“通”和“断”之间转换；

多个用来接收相应的选行信号的选行线；

多个选行晶体管，各有一个源、一个漏和一个栅，其源极与相应行的另一端相连接而栅极与相应行的选行线相连接；以及

多个电流驱动晶体管，各有一个连接到两个相邻选行晶体管漏极的基极和一个连接到相应位线的发射级。

5.如权利要求4所述的半导体存储器件，其特征在于，所述第一存储单元由一个耗尽型MOS晶体管组成，而所述第二存储单元由一个增强型MOS晶体管组成。