[发明专利]钛酸锶基晶界层电容器材料制造方法无效

专利信息
申请号: 94104451.3 申请日: 1994-05-06
公开(公告)号: CN1063732C 公开(公告)日: 2001-03-28
发明(设计)人: 周和平;李龙土;陆新民;董为民 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: C04B35/46 分类号: C04B35/46;H01G13/00
代理公司: 清华大学专利事务所 代理人: 丁英烈
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 钛酸锶基晶界层 电容器 材料 制造 方法
【权利要求书】:

1、电容器用SrTiO3基晶界层电容器材料制造方法,其特征在于,该方法包括下列步骤:

①选用草酸氧钛锶为原料,在900℃~1000℃温度范围内进行热分解,获得SrTiO3粉料:

②按下列配方配料:在1mol SrTiO3中加入TiO2或SrCO3,TiO2的添加量在0.03~0.005mol,SrCO3的添加量在0.005~0.04mol范围内,即TiO2/SrO的摩尔比在1.03~0.96范围内调节,然后添加0.003~0.015mol的Nb2O5作为施主杂质,再加入Li2CO3、LiNO3或LiF中的一种或两种作为助烧结剂,添加量分别为0.00745~0.0994mol、0.00798~0.1065mol、0.0212~0.283mol:

③在900℃~1250℃温度范围内、N2+H2流动气体中进行半导化烧结;

④晶界绝缘化:采用气相扩散工艺进行晶界绝缘化,CuO或PbO中的一种或两种与Al2O3混合制成园筒或分层筒体作为气相扩散源,扩散温度为1000~1250℃,介质为空气,从而得到SrTiO3基晶界层电容器材料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/94104451.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top