[发明专利]钛酸锶基晶界层电容器材料制造方法无效
申请号: | 94104451.3 | 申请日: | 1994-05-06 |
公开(公告)号: | CN1063732C | 公开(公告)日: | 2001-03-28 |
发明(设计)人: | 周和平;李龙土;陆新民;董为民 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | C04B35/46 | 分类号: | C04B35/46;H01G13/00 |
代理公司: | 清华大学专利事务所 | 代理人: | 丁英烈 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钛酸锶基晶界层 电容器 材料 制造 方法 | ||
1、电容器用SrTiO3基晶界层电容器材料制造方法,其特征在于,该方法包括下列步骤:
①选用草酸氧钛锶为原料,在900℃~1000℃温度范围内进行热分解,获得SrTiO3粉料:
②按下列配方配料:在1mol SrTiO3中加入TiO2或SrCO3,TiO2的添加量在0.03~0.005mol,SrCO3的添加量在0.005~0.04mol范围内,即TiO2/SrO的摩尔比在1.03~0.96范围内调节,然后添加0.003~0.015mol的Nb2O5作为施主杂质,再加入Li2CO3、LiNO3或LiF中的一种或两种作为助烧结剂,添加量分别为0.00745~0.0994mol、0.00798~0.1065mol、0.0212~0.283mol:
③在900℃~1250℃温度范围内、N2+H2流动气体中进行半导化烧结;
④晶界绝缘化:采用气相扩散工艺进行晶界绝缘化,CuO或PbO中的一种或两种与Al2O3混合制成园筒或分层筒体作为气相扩散源,扩散温度为1000~1250℃,介质为空气,从而得到SrTiO3基晶界层电容器材料。
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