[发明专利]制造高集成度半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造高集成度半导体存储器件的方法，包含下列步骤：

在形成有半导体元件的衬底上相继形成绝缘层、平面化层、腐蚀阻挡层和牺牲层；

部分腐蚀上述牺牲层、腐蚀阻挡层、平面化层和绝缘层，以形成用于连接半导体衬底上某一区域的接触孔；

在形成了上述接触孔的半导体衬底上形成一个第一导电层；

在上述第一导电层上形成由光刻胶组成的第一图形；

在其上已形成上述第一图形的结构上形成一个第一材料层；

对上述第一材料层进行各向异性腐蚀，以在上述第一图形侧面上形成一个间隔层；

用上述间隔层作为腐蚀掩模，对上述第一导电层进行腐蚀；

清除上述第一图形；

在所得结构上形成一个第二导电层；

对上述第二导电层进行各向异性腐蚀；以及

清除上述间隔层以形成电容器的存储电极。

2.如权利要求1所述的制造高集成度半导体存储器件的方法，其中用一种腐蚀速率对任何各向异性腐蚀或各向同性腐蚀工艺都与构成上述第一和第二导电层的材料不同的材料作为上述第一材料层的材料。

3.如权利要求2所述的制造高集成度半导体存储器件的方法，其中一种氧化物被用作组成上述第一材料层的所述材料，而多晶硅被用作组成上述第一和第二导电层的上述材料。

4.如权利要求1所述的制造高集成度半导体存储器件的方法，其中，用一种腐蚀速率不同于组成上述第一导电层材料的材料作为构成上述第一图形的材料。

5.如权利要求4所述的制造高集成度半导体存储器件的方法，其中，将一种光刻胶用作构成上述第一图形的材料。

6.如权利要求1所述的制造高集成度半导体存储器件的方法，其中，上述第一图形的形成是用多层抗蚀胶光刻工艺进行的。

7.一种制造高集成度半导体存储器件的方法，它包含下列步骤：

在形成有半导体元件的衬底上相继形成绝缘层、平面化层、腐蚀阻挡层和牺牲层；

部分腐蚀上述牺牲层、腐蚀阻挡层、平面化层和绝缘层，以形成用于连接半导体衬底上某一区域的接触孔；

在形成了上述接触孔的半导体衬底上形成一个第一导电层；

在上述第一导电层上相继形成一个第一材料层和一个第二材料层；

将上述第二材料层图形化，从而形成一个第一图形；

在所得的其中已形成上述第一图形的结构上，形成一个第三材料层；

对上述第三材料层进行各向异性腐蚀，从而在上述第一图形的侧面上形成一个间隔层，并同时腐蚀上述第一材料层；

用上述间隔层作为腐蚀掩模对上述第一导电层进行腐蚀；

清除上述第一图形和上述第一材料层；

在所得结构上形成一个第二导电层；

对上述第二导电层进行各向异性腐蚀；以及

清除上述间隔层以形成电容器的存储电极。

8.如权利要求7所述的制造高集成度半导体存储器件的方法，其中，用一种腐蚀速率对任何各向异性或各向同性的腐蚀工艺与构成上述第一和第二导电层的材料不同的材料作为构成上述第一和第三材料层的材料。

9.如权利要求8所述的制造高集成度半导体存储器件的方法，其中，用一种氧化物作为构成上述第一和第三材料层的上述材料，而用多晶硅作为构成上述第一和第二导电层的上述材料。

10.如权利要求7所述的制造高集成度半导体存储器件的方法，其中，用一种腐蚀速率不同于构成上述第一材料层的材料而与构成上述第一导电层的材料相同或相近的材料作为构成上述第二材料层的材料。

11.如权利要求10所述的制造高集成度半导体存储器件的方法，其中，用多晶硅作为构成上述第二材料层的材料。