[发明专利]利用磁场的微波增强型CVD系统和方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于包括：

一反应室；

一气体引进装置，将一处理气体引进该反应室；

一微波发射装置，将微波射入该反应室；

一磁场施感装置，在反应室中施感磁场而形成电子回旋共振，以便将所说处理气体转变为等离子体；

一衬底，具有一待处理的表面，且被放置在反应室中；以及

抽气装置，将所说反应室抽空，所说抽气装置包含一个插置在反应室和一真空泵之间的涡轮分子泵。

2.根据权利要求1的装置，其特征在于包括一控制阀，用以控制涡轮分子泵和真空泵的操作。

3.根据权利要求1的装置，其特征在于所说微波的频率为2.45GHz(千兆赫)，而所说磁场的强度为875高斯。

4.根据权利要求1的装置，其特征在于，有一光源将光照射进所说反应室，以进一步将所说处理气体转变为所说等离子体。

5.一种等离子体处理装置，其特征在于包括：

一反应室；

一气体引进装置，将一处理气体引进该反应室；

一微波发射装置，将微波射入该反应室；

一感应装置，在反应室中施感磁场而形成电子回旋共振，以便将所说处理气体转变成等离子体；

一衬底，具有一待处理的表面，且被置放在该反应室中；

抽气装置，将所说反应室抽空，所说抽气装置包含一个插置在反应室和真空泵之间的涡轮分子泵；以及

一个插置在反应室和涡轮分子泵之间的控制阀。

6.根据权利要求5的装置，其特征在于，所说微波的频率为2.45GHz，而所说磁场的强度为875高斯。

7.根据权利要求5的装置，其特征在于，有一光源将光照进所说反应室，以便进一步将所说处理气体转变为所说等离子体。

8.一种等离子体处理装置，其特征在于包括：

一等离子体形成室；

一气体引进装置，将一处理气体引进该等离子体形成室；

一微波发射装置，将微波射进该等离子体形成室；

一磁场施感装置，在等离子体形成室中施感磁场而形成电子回旋共振，以便将所说处理气体转变为一等离子体；

一物件处理室，毗连该等离子体形成室；

一衬底，具有一待处理的表面，且被置放在该物体处理室；以及

抽气装置，将所说物体处理室抽空，所说抽气装置包含一个插置在物体处理室和真空泵之间的涡轮分子泵。

9.根据权利要求8的装置，其特征在于包括一控制阀，以便控制涡轮分子泵和真空泵的操作。

10.根据权利要求8的装置，其特征在于，所说微波的频率为2.45GHz，而所说磁场的强度为875高斯。

11.根据权利要求8的装置，其特征在于，有一光源将光照进所说物体处理理室，以便进一步将所说处理气体转变为所说等离子体。

12.一种等离子体处理装置，其特征在于包括：

一等离子体形成室；

一气体引进装置，将一处理气体孔进该等离子体形成室；

一微波发射装置，将微波射入等离子体形成室；

一磁场施感装置，在等离子体形成室中施感-磁场而形成电子回旋共振，以便将所说处理气体转变为等离子体；

一物体处理室，毗连等离子体形成室；

一衬底，具有一待处理的表面，且被置放在物体处理室中；

抽气装置，将所说物体处理室抽空，所说抽气装置包含一个插置在物体处理室和真空泵之间的涡轮分子泵，和一个插置在物体处理室和涡轮分子泵之间的控制阀。

13.根据权利要求12的装置，其特征在于，所说微波的频率为2.45GHz，而所说磁场的强度为875高斯。

14.根据权利要求12的装置，其特征在于，有一光源，将光射进所说物体处理室，以便进一步将所说处理气体转变为所说等离子体。