[发明专利]具有绝缘体支固外引线的封装电子器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 94107982.1 申请日: 1994-07-19
公开(公告)号: CN1098822A 公开(公告)日: 1995-02-15
发明(设计)人: 内藤孝洋;田中茂树;铃木博通;沖永隆幸;江俣孝司;崛内整;小俣诚;山田胜 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所;日立微机系统公司;日立超爱尔;爱斯;爱工程股份公司;日立北海半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/28 分类号: H01L23/28;H01L23/48
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 绝缘体 外引 封装 电子器件 及其 制造 方法
【说明书】:

本发明涉及到一种封装的电子器件,更确切地说是一种表面安装式封装的半导体器件及其制造方法。

有很多待高密度安装的管脚的半导体器件,其引线从封装有半导体晶片的封装件(管壳)中伸出,这些引线的宽度和间距都很小。这就造成一些问题,如:外力引起的引线弯曲、相邻引线互相接触、器件安装时焊接不良、以及焊料搭桥造成的相邻引线间的短路。

作为避免表面安装式封装件的这种引线弯曲的一种方法,已存在一些熟知的技术,如1990年9月25日公开的JP-A-2-240952以及1992年9月10日公开的JP-A-4-255263所公布的。在前一种技术中,从IC封装件中伸出的引线脚被电绝缘的凝结剂物理固定,只露出引线脚的表面安装用焊接表面。在后一种技术中,从半导体封装件中伸出的引线除表面安装接触表面外,在其整个上表面上做成一个整体。

管脚数多的半导体封装件,特别是外引线间距窄到0.5mm或更窄的半导体封装件,其外引线的宽度很窄。因此在引线成形时或运输过程中受到冲击时常常出现引线断裂,而在将引线插入和拔出测试插座时还发生变形。尽管用上述专利公布的技术可以抑制引线变形,在引线成形之后还必须用凝结剂将引线物理固定,或者可以想到需要精确地控制数量、粘度和其它参数。后一技术还有另一个问题,即在将器件安装到印刷电路板上时,难以使引线正确地同印刷电路板对准。

除上述问题外,封装的半导体器件的制造要求下列工序:将晶片焊接到引线框上、引线的焊接、在成型后切除支持相邻引线的引线框上的阻挡杆(dam  bar)。

在下列文件中公开了一些类似的常规技术。

1989年5月25日的专利公开(JP-U-1-78047)的方法是将从IC封装件伸出的引线同封装件的表面做成齐平,并用树脂固定以防止引线变形。

1981年3月24日的专利公开(JP-A-56-29355)公布了一种采用无阻挡杆的引线框来制造封装半导体器件的方法。

1993年6月1日的专利公开(JP-A-5-136326)披露的方法是:在从半导体封装件伸出的相邻引线之间插入绝缘材料以提供一个恒定的引线间距并防止引线变形。绝缘材料是在用树脂封住半导体芯片之后插入到引线之间的。

1992年12月17日的专利公开(JP-A-4-364766)公布的方法是:为防止从树脂封住的半导体器件中伸出的引线发生变形,将与封装树脂相同的树脂插入到引线之间(厚度同引线厚度相同)以便支持引线,并在引线成型之前将插入的树脂除去。

1993年12月2日提出的专利USSN08/161,374(相当于1993年12月11日提出的韩国专利申请No.27,324/93,1993年12月14日提出的泰国专利申请No.20,953以及1993年12月10日提出的马来西亚专利申请No.PI9302666)公布了一种带有无阻挡杆的引线框的封装半导体器件及其制造方法。

本发明的目的是提供一种封装电子器件,它能够抑制诸如由加于引线上的外力引起的引线弯曲之类的变形。

本发明的另一目的是提供一种制造封装电子器件的方法,这种封装电子器件能够抑制诸如由加于引线上的外力引起的引线弯曲之类的形变。

根据本发明的一个特征,一个封装电子器件有一个电子器件和许多细长的引线,其中的电子器件和许多细长引线的第一部分被包封用电绝缘构件封住形成一个封装件。与包封用绝缘构件材料相同的支固用电绝缘构件插入到从封装件中伸出的相邻细长引线的第二部分之间以固定支撑细长引线的第二部分。支固用电绝缘构件与包封用绝缘构件构成一体,用物理连接绝缘构件在细长引线第二部分的外端处使支固用绝缘构件彼此物理连接。

包封用电绝缘构件、支固用电绝缘构件以及物理连接用绝缘构件可以用成型机一步形成。在封装电子器件安装到印刷电路板之前,亦即细长引线第二部分成形之前或之后,可以切除物理连接用绝缘构件。

图1A是根据本发明实施例的表面安装树脂模注式封装半导体器件的俯视图。

图1B是图1A所示半导体器件的侧视图。

图2是可用于本发明实施例的引线框的俯视图。

图3是根据本发明实施例的表面安装树脂模注式半导体器件安装状态的侧视图。

图4A是根据本发明实施例的封装半导体器件的俯视图。

图4B是图4A沿ⅣB-ⅣB线的剖面图。

图5是根据本发明实施例的封装半导体器件的俯视图。

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