[发明专利]用碳化硅与金属合成金刚石的方法无效
| 申请号： | 94111620.4 | 申请日： | 1994-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1048420C | 公开（公告）日： | 2000-01-19 |
| 发明（设计）人： | 洪时明 | 申请（专利权）人： | 成都科技大学 |
| 主分类号： | B01J3/06 | 分类号： | B01J3/06 |
| 代理公司： | 成都科技大学专利代理事务所 | 代理人： | 黄幼陵 |
| 地址： | 61006*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 金属 合成 金刚石 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用碳化硅与金属合成金刚石的方法，采用旁热式粉末混合或积层接触工艺，其特征在于：
①以SiC为碳源，以纯金属Mn、Fe、Ni，Co基合金，Mn基合金，Ni基合金Ni-Cr、Ni-Fe、Ni-Mn、Ni-Cr-Fe、Ni-Co-Fe，Fe基合金Fe-Al，Cu-Nb合金及上述合金基础上添加其它元素形成的多元合金中的一种为触媒，SiC与触媒的比例为1∶1～1∶16，
②压力为3～5.5GPa，
③温度为600～1500℃，
④保温时间为5秒～20分钟。
2.根据权利要求1所述的用碳化硅与金属合成金刚石的方法，其特征在于SiC的粒度为0.10μm～20mm。
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