[发明专利]用于高速电导调制功率器件的隧道结键合单晶衬底无效
| 申请号： | 94111996.3 | 申请日： | 1994-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1035347C | 公开（公告）日： | 1997-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李肇基;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/18 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利事务所 | 代理人： | 严礼华 |
| 地址： | 610054 *** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 高速 电导 调制 功率 器件 隧道 结键合单晶 衬底 | ||
【权利要求书】：
1、一种用于高速电导调制功率器件的隧道结键合(TJB)单晶衬底，其特征是在N-(1)(或P-)单晶的一抛光面上有由离子注入或杂质扩散形成的高浓度P+(3)/N+(4)/P+(3)(或N+/P+/N+)相间组成的一个层，并在这层的表面直接键合P+(或N+)单晶层(2)，其中N+区(4)(或P+区)与周围的P+区(3)(或N+区)及直接键合的P+(或N+)(2)单晶间形成的隧道结与P+单晶(2)(或N+单晶)一起组成复合的隧道阳极。
2、根据权利要求1的用于高速电导调制功率器件的隧道结键合(TJB)单晶衬底，其特征是在所述的TJB单晶衬底的N-(1)(或P-)单晶键合面上形成的高浓度的N+区(4)(或P+区)与周围的P+区(3)、(2)(或N+区)在键合面上的面积之比定义为隧道电荷泵抽出因子η，η值的大小在0.03～0.6之间。
3、根据权利要求1的用于高速电导调制功率器件的隧道结键合(TJB)单晶衬底，其特征是在所述的TJB衬底材料是指能利用直接键合工艺进行直接贴合的半导体材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/94111996.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
