[发明专利]具有金属氧化物电介质的电容器无效
| 申请号： | 94114807.6 | 申请日： | 1994-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1051403C | 公开（公告）日： | 2000-04-12 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·Ｅ·琼斯;帕普·Ｄ·曼尼阿尔;安德鲁·Ｃ·坎贝尔;雷萨·莫阿扎米 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/105;H01L21/316;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 金属 氧化物 电介质 电容器 | ||
1.一种存储器，其特征在于包括：
一个电路元件；
覆盖在该电路元件上的电容器，其中，电容器包括金属氧化物介电层和电极，该电容器的所有电极均由第一电极和第二电极组成；
该金属氧化物介质位于第一电极和第二电极之间；
所有第一电极的高度均不高于第二电极；
所有第二电极的高度均不低于第一电极；以及
一个导电部件，该导电部件与电路元件及第二电极互相电连接，其形状做成延伸通过第一电极和金属氧化物介质层。
2.按权利要求1的存储器，其特征在于，金属氧化物介质层包括选自下列材料组的材料，该材料组包括：五氧化二钽、钛酸锆、钛酸钡、钛酸锶钡、钛酸锶、钛酸铋、钛酸锆酸铅，和掺镧的钛酸锆酸铅。
3.按权利要求1的存储器，其特征在于，埋在下层的电路元件是晶体管的源/漏区。
4.按权利要求1的存储器，其特征在于，导电部件包括选自下列材料组的材料，该材料组包括硅、高熔点金属和氮化钛。
5.按权利要求1的存储器，其特征在于具有：邻接导电部件、电容器和电路元件的绝缘隔层，其中，绝缘隔层包括选自高熔点金属氧化物和氧化镁构成的材料组的材料。
6.一种非易失性随机存取存储器单元，其特征在于：
具有源/漏区的晶体管；
覆盖在源/漏区上的铁电电容器，其中，铁电电容器包括第一电极层，覆盖在第一电极层上的具有铁电特性的金属氧化物介电层，和覆盖在金属氧化物介电层上的第二电极层；
电连接源/漏区与第二电极层的导电部件，该导电部件贯穿铁电电容器的第一电极层和金属氧化物介电层；以及
邻接导电部件、电容器和源/漏区的绝缘隔层，其中，绝缘隔层包括选自高熔点金属氧化物和氧化镁构成的材料组的材料。
7.按权利要求6的存储器单元，其特征在于：
所有铁电电容器的第一电极层的高度均不高于铁电电容器的第二电极层的高度；以及
所有铁电电容器的第二电极层的高度均不低于铁电电容器的第一电极层的高度。
8.按权利要求6的存储器单元，其特征在于，
存储器单元是非易失性随机存取存储器单元(100，140)；和
金属氧化物介电层(115，1542)包括选自下列材料组的一种材料，该材料组包括：钛酸锶钡、钛酸钡、钛酸铋、钛酸锆酸铅，和掺镧的钛酸锆酸铅。
9.按权利要求6的存储器单元，其特征在于，导电部件(117，1546)包括选自下列材料组的材料，该材料包括：硅、高熔点金属和氮化钛。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
