[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，它包括：供给外加电源电压的电源引线端子、第1和第2位线、设于上述两位线之间的读出放大器、分别连接到上述第1、第2位线的多个存储单元，以及在把上述第1和第2位线充电到指定电位的同时把两条位线设定为等电位的位线电位设定单元，其特征是：所述半导体存储装置还具有内部升压电压产生单元，它具有：

基准电压产生单元，用于产生基准电压；

升压单元，用于使上述电源引线端子供给的电压升压，在产生作为所述位线电位设定单元的控制信号的一个电平的升压电压的同时，根据控制信号控制其升压动作；

电压变换单元，用于把上述升压电压变换成比之更低的电压；以及

电压比较单元，它把上述基准电压与由上述电压变换单元进行了变换的电压进行比较，并产生与其大小关系相对应的信号，将其作为上述控制信号供给上述升压单元。

2.如权利1的半导体存储装置，其特征是：

在用上述位线电位设定单元把上述第1和第2位线充电到指定电位的期间，使上述控制信号的电平等于用上述内部升压电压产生单元所产生的升压电压。

3.如权利要求1的半导体存储装置，其特征是上述位线电位设定单元具有：

第1MOS晶体管，其源漏两端被插入到供给用于位线充电的电位的节点和上述第1位线之间，并把上述控制信号供给栅极；

第2MOS晶体管，其源漏两端被插入到供给用于位线充电的电位的节点和上述第2位线之间，并把上述控制信号供给栅极；以及

第3MOS晶体管，其源漏两端被插入到上述第1位线和第2位线之间，并把上述控制信号供给栅极。

4.如权利要求3的半导体存储装置，其特征是：

上述第1、第2和第3MOS晶体管为同一极性。

5.如权利要求1的半导体存储装置，其特征是上述位线电位设定单元具有：

第1MOS晶体管，其源漏两端被插入到供给用于位线充电的电位的节点和上述第1位线之间，并把上述控制信号供给栅极；以及

第2MOS晶体管，其源漏两端被插入到供给用于位线充电的电位的节点和上述第2位线之间，并把上述控制信号供给栅极。

6.如权利要求5的半导体存储装置，其特征是：

上述第1和第2MOS晶体管为同一极性。

7.一种半导体存储装置，它包括：供给外加电源电压的电源引线端子、第1和第2位线，以及在把上述第1和第2位线充电到指定电位的同时把两条位线设定为等电位的位线电位设定单元；其特征在于：

所述半导体存储器还具有内部升压电压产生单元和电平变换单元，上述内部升压电压产生单元具有：

基准电压产生单元，用于产生基准电压；

升压电压单元，用于把上述电源引线端子所提供的电压升压，在产生作为所述位线电位设定单元的控制信号之一的电平的升压电压的同时，根据控制信号来控制其升压动作；

电压变换单元，用于把上述升压电压变换成电平比之还低的电压；以及

电压比较单元，用于把上述基准电压与用上述电压变换单元进行了变换的电压进行比较，产生与其大小关系相应的信号，并将其作为上述控制信号供给上述升压单元；

上述电平变换单元供给用于控制上述位线电位设定单元的控制信号，并对此控制信号进行电平变换，将其变换成把用上述内部升压电压产生单元所产生的升压电压作为一种电平的信号，并提供给上述位线电位设定单元。

8.如权利要求7的半导体存储装置，其特征是上述位线电位设定单元具有：

第1MOS晶体管，其源漏两端被插入到供给用于位线充电的电位的节点和上述第一位线之间，并把上述控制信号供给栅极；以及

第2MOS晶体管，其源漏两端被插入到供给用于位线充电的电位的节点与上述第2位线之间，并把上述控制信号供给栅极；以及

第3MOS晶体管，其源漏两端被插入到上述第1位线和第2位线之间，并把上述控制信号供给栅极。

9.如权利要求8的半导体存储装置，其特征是：

上述第1、第2和第3 MOS晶体管为同一极性。